深圳市一鑫研创科技有限公司以微控制器 （MCU）为研发核心，产品应用领域包括无线充电产品、电机控制类、TYPE-C转HDMI类等。研发团队秉承工匠精神，对产品质量高度负责，确保从一鑫研创科技有限公司出去的每个芯片都是安全可靠，符合客户规格的。

充电头网拿到了一鑫研创推出的Qi2磁吸无线充电模组，这款模组具备USB-C模组，由圆形PCB和无线充电线圈组成，采用凌通科技无线充电主控方案，内置复旦微加密芯片，满足Qi2加密需求。

一鑫研创Qi2 MPP磁吸无线充电模组除无线充电器外，还可用于设计车载无线充电器、MagSafe磁吸充电宝的产品。模组目前的Qi2认证进度处于业界领先水平，可以率先帮助客户产品实现量产上市，把握市场先机。

下面就对这款无线充电模组进行解析，一起来看看方案的设计。

一鑫研创Qi2磁吸无线充电模组外观

一鑫研创Qi2磁吸无线充电模组由USB-C输入线、圆形PCB板、无线充电线圈与磁铁环组成的面板三部分组成。

采用USB-C线取电，可以很好适配目前市面上推出的各大品牌快充充电器，USB-C公头满PIN设计。

测得线缆的长度约109cm。

测得PCB板直径为41.99mm。

最大厚度为2.33mm。

磁吸无线充电线圈面板长/宽为60.84mm。

厚度为4.82mm。

模组的整体重量约为48g。

使用EESON RX全功能测试模组3代测试，结果显示15W功率和360kHz频率，MPP功能正常。

一鑫研创Qi2磁吸无线充电模组解析

无线充电模组PCB正面焊接供电导线和无线充电线圈。

PCB为单面布局，背面没有焊接元件，便于组装成模块产品。

PCB正面一览，左侧为谐振电容和全桥功率管，中间上方为无线充电主控，中间位置为加密芯片，在下方是升压电路，为功率级供电，右侧为降压电路，为无线充电主控供电。

无线充电主控来自凌通科技，型号GPM32FD0338B，是一款ARM M0内核的工业级MCU，芯片内置8KB SRAM，4KB系统内存和60KB程序存储器，支持可配置数据存储器。芯片内置两个ADC，两个快速模拟电压比较器和四个运算放大器。

芯片内置核心温度传感器，具备34个快速多功能双向IO，具备两个I2C接口，两个SPI接口和三个UART接口，内置全桥MOS驱动器，无需外置驱动器，全桥驱动器内置可调节的死区时间控制，用于直通保护。芯片内置四种安全级别，支持-40~105℃工作温度，采用QFN48封装。

凌通科技 GPM32FD0338B 资料信息。

安全芯片来自上海复旦微电子，型号FM1230，支持DES/TDES、AES、SM4对称算法，RSA、ECC、SM2非对称算法和SHA1、SHA224、SHA256、SM3杂凑算法等安全算法，具备多种防护能力，支持对称和非对称加解密运算、安全存储、身份认证等功能，可用以接触式的ESAM/PSAM模块，SE安全模块等应用领域。

复旦微电子 FM123x 提供 SOP8、DFN12、DFN8、WLCSP8封装，满足不同系统应用。

为主控芯片供电的降压芯片丝印S69FX。

搭配使用的降压电感特写。

升压芯片来自芯洲科技，型号SCT12A2，是一颗高效率同步升压转换器，芯片内置13/11mΩ开关管，支持20V输入电压，输入电流限制为15A，开关频率可编程，支持可编程的软启动，具备输出和反馈过压保护，内置过热关断功能。

搭配升压芯片使用的1.5μH合金电感。

用于输入端过压保护的TVS二极管特写。

两颗无线充电功率管来自威兆半导体，型号VS3622DE，双NMOS，耐压30V，导阻10mΩ，支持5V逻辑电压驱动，采用PDFN3333封装。

威兆半导体 VS3622DE 详细资料。

另外两颗无线充电开关管型号相同。

六颗谐振电容一览。

电源输入线焊点打胶加固。

无线充电线圈焊点打胶加固。

无线充电线圈采用利兹线绕制。

边缘粘贴的吸附磁铁特写。

充电头网总结

一鑫研创推出的这款Qi2磁吸无线充电模组采用圆形PCB设计，搭配金属外壳，可作为模块产品出货。通过观察发现，这款无线充电方案采用凌通科技GPM32FD0338B主控芯片，内部集成NMOS驱动，无需外置驱动器，外围元件精简。

加密芯片采用复旦微FM1230，满足Qi2的加密标准，并采用威兆VS3622DE 双NMOS进行无线充电，使用芯洲科技SCT12A2进行供电升压。PCB为单面布局，支持PD快充供电，模块化产品，简化无线充电器设计。