深圳市一鑫研创科技有限公司以微控制器 (MCU)为研发核心,产品应用领域包括无线充电产品、电机控制类、TYPE-C转HDMI类等。研发团队秉承工匠精神,对产品质量高度负责,确保从一鑫研创科技有限公司出去的每个芯片都是安全可靠,符合客户规格的。
充电头网拿到了一鑫研创推出的Qi2磁吸无线充电模组,这款模组具备USB-C模组,由圆形PCB和无线充电线圈组成,采用凌通科技无线充电主控方案,内置复旦微加密芯片,满足Qi2加密需求。
一鑫研创Qi2 MPP磁吸无线充电模组除无线充电器外,还可用于设计车载无线充电器、MagSafe磁吸充电宝的产品。模组目前的Qi2认证进度处于业界领先水平,可以率先帮助客户产品实现量产上市,把握市场先机。
下面就对这款无线充电模组进行解析,一起来看看方案的设计。
一鑫研创Qi2磁吸无线充电模组外观
一鑫研创Qi2磁吸无线充电模组由USB-C输入线、圆形PCB板、无线充电线圈与磁铁环组成的面板三部分组成。
采用USB-C线取电,可以很好适配目前市面上推出的各大品牌快充充电器,USB-C公头满PIN设计。
测得线缆的长度约109cm。
测得PCB板直径为41.99mm。
最大厚度为2.33mm。
磁吸无线充电线圈面板长/宽为60.84mm。
厚度为4.82mm。
模组的整体重量约为48g。
使用EESON RX全功能测试模组3代测试,结果显示15W功率和360kHz频率,MPP功能正常。
一鑫研创Qi2磁吸无线充电模组解析
无线充电模组PCB正面焊接供电导线和无线充电线圈。
PCB为单面布局,背面没有焊接元件,便于组装成模块产品。
PCB正面一览,左侧为谐振电容和全桥功率管,中间上方为无线充电主控,中间位置为加密芯片,在下方是升压电路,为功率级供电,右侧为降压电路,为无线充电主控供电。
无线充电主控来自凌通科技,型号GPM32FD0338B,是一款ARM M0内核的工业级MCU,芯片内置8KB SRAM,4KB系统内存和60KB程序存储器,支持可配置数据存储器。芯片内置两个ADC,两个快速模拟电压比较器和四个运算放大器。
芯片内置核心温度传感器,具备34个快速多功能双向IO,具备两个I2C接口,两个SPI接口和三个UART接口,内置全桥MOS驱动器,无需外置驱动器,全桥驱动器内置可调节的死区时间控制,用于直通保护。芯片内置四种安全级别,支持-40~105℃工作温度,采用QFN48封装。
凌通科技 GPM32FD0338B 资料信息。
安全芯片来自上海复旦微电子,型号FM1230,支持DES/TDES、AES、SM4对称算法,RSA、ECC、SM2非对称算法和SHA1、SHA224、SHA256、SM3杂凑算法等安全算法,具备多种防护能力,支持对称和非对称加解密运算、安全存储、身份认证等功能,可用以接触式的ESAM/PSAM模块,SE安全模块等应用领域。
复旦微电子 FM123x 提供 SOP8、DFN12、DFN8、WLCSP8封装,满足不同系统应用。
为主控芯片供电的降压芯片丝印S69FX。
搭配使用的降压电感特写。
升压芯片来自芯洲科技,型号SCT12A2,是一颗高效率同步升压转换器,芯片内置13/11mΩ开关管,支持20V输入电压,输入电流限制为15A,开关频率可编程,支持可编程的软启动,具备输出和反馈过压保护,内置过热关断功能。
搭配升压芯片使用的1.5μH合金电感。
用于输入端过压保护的TVS二极管特写。
两颗无线充电功率管来自威兆半导体,型号VS3622DE,双NMOS,耐压30V,导阻10mΩ,支持5V逻辑电压驱动,采用PDFN3333封装。
威兆半导体 VS3622DE 详细资料。
另外两颗无线充电开关管型号相同。
六颗谐振电容一览。
电源输入线焊点打胶加固。
无线充电线圈焊点打胶加固。
无线充电线圈采用利兹线绕制。
边缘粘贴的吸附磁铁特写。
充电头网总结
一鑫研创推出的这款Qi2磁吸无线充电模组采用圆形PCB设计,搭配金属外壳,可作为模块产品出货。通过观察发现,这款无线充电方案采用凌通科技GPM32FD0338B主控芯片,内部集成NMOS驱动,无需外置驱动器,外围元件精简。
加密芯片采用复旦微FM1230,满足Qi2的加密标准,并采用威兆VS3622DE 双NMOS进行无线充电,使用芯洲科技SCT12A2进行供电升压。PCB为单面布局,支持PD快充供电,模块化产品,简化无线充电器设计。
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