12月9日至13日,第69届IEEE国际电子器件年会(International Electron Devices Meeting,IEDM 2023)在美国旧金山举行。
国际电子器件大会(IEDM)始于1955 年,是集成电路器件领域的顶级会议,在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力,被誉为“器件的奥林匹克盛会”。
IEDM 影响力巨大,是全球报道半导体及电子器件领域最新的科技、设计、制造、物理及建模的主要论坛,也是高校、研发机构和行业领军企业报告其技术突破的重要平台。每年Intel、Samsung、TSMC 和IBM 等国际知名半导体公司都会利用这个会议发布其最新研究成果。
本次2023 IEDM 大会上,能华半导体发表了题为“1200V E-mode GaN Monolithic Integration Platform on Sapphire with Ultra-thin Buffer Technology”(基于超薄缓冲层技术的1200V 增强型氮化镓单片集成平台)的论文,包含高压增强型GaN 器件、低压增强型GaN 器件、二极管、电阻和电容等,其中高压器件击穿电压达2300V,在1200V 电压下的关态漏电仅为100pA/mm,浅槽隔离结构击穿电压达3000V。
基于江苏能华和东南大学长期的技术合作,共同开发了超薄缓冲层(UTB)外延技术,全球首次报道1200V GaN 高低压兼容制备工艺,基于该技术研制的1200V GaN 半桥集成芯片实现了800V/1MHz/175℃条件下无串扰工作。
该成果体现了GaN 器件在1200V 应用领域的优势,将领衔推动GaN 器件在1200V 应用领域的广泛应用。
江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司创办于2010年,是一家专业设计、生产和销售以氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件的高新技术企业。
公司核心技术团队由国家级领军人才朱廷刚博士带领,成员包括从外延生长、器件设计、工艺制程到封装测试各环节的专家。目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。公司产品技术参数在行业中处于领先地位,各类产品已实现规模化生产,并拥有一批国内外知名客户。
(来源:江苏能华微电子科技发展有限公司)
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