维普创新这款PCBA上仅有两颗主要的芯片，为WP8035和WP3010，外围精简。其中，WP8035为15W高集成SoC发射芯片，内部集成MCU、驱动IC等。WP3010为全桥MOS，内置4颗MOS，集成度同样也很高。方案优势如下：
1、这套方案集成度高，外围精简，有助于快速开发、生产和上市销售。更关键的是，BOM成本低，整个BOM成本可控制在个位数的价格以内（包含线圈、PCB板）；
2、方案性能强悍，兼容多种无线快充协议，包括LG 15W、苹果7.5W、三星10W、以及目前最热门的华为10W无线快充；
3、支持单/双/三线圈，可用于多种类线圈应用场景。
WPINNO接收器治具
使用WPINNO老化测试治具对维普创新这套方案进行测试，显示9.20V1.18A。
华为Mate 20 Pro 10W无线快充
使用华为Mate 20 Pro进行测试，屏幕显示“正在快速无线充电”，证实这套方案支持华为10W无线快充。
维普创新三线圈方案
搭配线圈切换MOS，可组成维普创新三线圈方案。支持多达三个线圈，好处是手机无需对准，即放即充，实现自由位置，带来更好的使用体验。
维普创新WP8035：高集成15W无线充SoC发射芯片
WP8035是一颗15W无线充SoC发射芯片，内部集成MCU、驱动IC等。内置32KB Flash，支持板端/USB口双重升级程序、输入口支持用户定义协议输入。
WP8025/WP8035 无线充系列芯片高集成度，高性能，解决无线充电发射端需求，满足QI标准V1.2.4版本，同时兼容苹果7.5W，三星10W，华为10W、LG 15W等多种手机；内部集成MCU,ADC，实现无线充电功能的同时可以实现客户定制化；同时内部能够对电流&电压双重信号进行解码，准确的辨别发射端的需求；内部集成算法，能准确识别FOD; 完成各种保护。
维普创新WP3010：四合一全桥MOS芯片
维普创新WP3010四合一全桥MOS芯片，内部集成4颗MOS，集成度高，版面简洁。全桥MOSFET组合当芯片，适用于无线充电，电机驱动，音频驱动等多种应用。WP3010拥有的N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术特别适合于最小化导通状态电阻，提供优越的开关性能，以及承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率快速开关应用。
目前该款芯片方案已经批量出货，有需求的客户可以与维普创新取得联系。
联系方式
深圳维普创新科技有限公司
电话：0755-86571750
邮箱：service@wpinno.com
网址：www.wpinno.com
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