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首页 新闻 研讨会 英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31

英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31

zun 2月 14, 2019

英诺赛科(珠海)科技有限公司是2015年12月由海归团队发起, 并集合了众多国内外精英联合创办的宽禁带半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。
英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网 英诺赛科一期项目坐落于珠海市国家级高新区, 占地1.7万平米, 投资10.95亿元,于2017年建成了全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线,产品经国内主流客户认证,各项性能指标均达到国际先进水平。二期项目坐落于苏州市吴江汾湖高新区, 占地16.3万平米,于2018年6月开工建设,预计2020年投入生产。
英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网 硅基氮化镓被称为第三代半导体材料,是当今世界最先进的半导体材料之一,因其优良的物理化学特性,能实现器件的高频、高效等特性,大幅度降低系统能耗,能广泛应用于5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、数据中心等新兴领域;硅基氮化镓具有的优异特性和广泛的应用前景使其成为新一代半导体产业发展的焦点。

英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网

英诺赛科采用研发、设计、生产、制造、测试为一体的IDM模式,公司在可靠性和失效分析上进行战略投入, 建立自有分析平台,从而具有产品快速迭代的能力;英诺赛科主要生产30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等,公司的IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线使公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。

英诺赛科从成立至今的三年时间里, 凭借其团队雄厚的研发实力和生产技术,在产品开发上取得非常亮眼的成绩,快速成长为国内第三代半导体研发与生产的先锋企业。

1、英诺赛科已发布产品
英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网

2、英诺赛科开发中的产品
英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网

3、英诺赛科针对快充的产品
英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网

4、英诺赛科针对车充和快充的产品
英诺赛科参加2019(春季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A31-充电头网

英诺赛科将在3月22日参加2019(春季) USB PD&Type-C亚洲展,展位设在A31,需要了解最新GaN(氮化镓)快充方案的观众可在展会当天前往A31展台进一步交流。

关于展会
2019(春季) USB PD&Type-C亚洲展是充电头网发起的一项推广快充产业的活动,目前已经连续举办第8届。

这是2019年首场大规模USB PD&Type-C行业展会,汇聚近百家产业链优质供应商、服务商,以及上千家采购商。

本次展会邀请了GaN氮化镓领域技术专家介绍基于USB PD快充的小型化、轻薄化设计,并现场展示多款应用案例。

拥有最新USB PD快充应用案例现场展示,覆盖充电器、充电宝、车充、充电线等上百款热门爆款方案。

展会报名地址:点击这里

#GaN#USB PD#快充#氮化镓#英诺赛科
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zun
用自己的眼睛去读世间这一部书。
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