前言
3月28日,新洁能(股票代码:605111)公布了《2023年年度报告》。报告显示,公司2023年实现总营收14.77亿元,同比下降18.46%;实现归母净利润3.23亿元,同比下降25.75%;基本每股收益1.13元/股。
公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司产品技术先进且系列齐全,目前产品型号 3,000 余款,电压覆盖 12V~1700V 全系列,重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI 服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G 通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。
历年总营收及净利润
2019-2023年公司分别实现总营收7.73亿元,9.55亿元,15.11亿元,18.11亿元,14.77亿元;同比分别变动7.93%,23.62%,58.19%,19.87%,-18.46。
2019-2023年公司分别实现归母净利润0.98亿元,1.39亿元,4.16亿元,4.35亿元,3.23亿元;同比分别变动-30.55%,41.89%,198.81%,4.51%,-25.75%。
伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争,公司面临着新的挑战。基于此,公司积极应对市场变化和响应客户需求,积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会,利用技术和产品优势、 产业链优势等,持续优化产品结构、市场结构和客户结构,将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI 服务器和数据中心等新兴领域客户,并开发出更多的行业龙头客户, 进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。
按产品分类来看,公司2023年功率器件营收13.99亿元,占总营收的比例为94.73%;芯片营收0.72亿元,占比为4.89%;其他业务收入营收0.06亿元,占比为0.39%。
按地区来看,2023年公司境内销售额14.4亿元,占总营收的比例为97.5%;境外销售额0.31亿元,占比为2.11%;其他业务收入营收0.06亿元,占比为0.39%。
前五大客户及供应商
前五名客户销售额2.93亿元,占年度销售总额19.89%。其中前五名客户销售额中关联方销售额0万元,占年度销售总额0%。报告期内向单个客户的销售比例超过总额的50%、前5名客户中存在新增客户的或严重依赖于少数客户的情形。
前五名供应商采购额 8.75亿元,占年度采购总额 82.18%。其中排名第一的供应商采购额为4.52亿元,占年度总额的比例为42.43%。
历年研发投入
2019-2023年公司分别投入研发费用0.34亿元,0.52亿元,0.75亿元,1.01亿元,0.87亿元。2023年公司共有研发人员115人,研发人员数量占公司总人数的比例为29.26%。
自成立以来,公司始终专注于半导体功率器件行业,具备独立的 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT 芯片设计能力和自主的工艺技术平台。
截至目前,公司(含子公司)拥有196项专利,其中发明专利86项(不含已到期专利)、美国专利2项,集成电路布局图39项,软件著作权1项,发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列。此外,公司参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文22篇,其中SCI收录论文15篇,持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平,不断缩小与国际一流半导体功率器件企业的技术差距。
总市值情况
新洁能公司成立于2013年01月05日,并于2020年09月28日成功上市。上市当日总市值为29.01亿元。
公司成立自2024年3月28日总市值如上图所示。在此期间,公司总市值最高是在2021年11月24日,为323.03亿元;总市值最低是在2020年9月28日,为29.01亿元。截止至2024年3月28日,公司总市值为114.53亿元。
盈利能力分析
2019-2023年公司销售毛利率分别为20.73%,25.37%,39.12%,36.93%,30.75%。2023年公司销售毛利率同比下降16.73%,公司盈利能力同比下降。
运营能力分析
2019-2023年公司存货周转率分别为4.93次,5.79次,5.22次,3.35次,2.28次。2023年公司存货周转次数同比下降,存货周转天数增加,存货周转速度同比下降。
偿债能力分析
2019-2023年公司资产负债率分别为29.24%,17.06%,18.83%,13.48%,14.03%。2023年公司资产负债率微增4.8%,公司偿债能力维持稳定。
核心竞争力
1、研发实力优势
自成立以来,公司始终专注于半导体功率器件行业,具备独立的 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT 芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前,公司(含子公司)拥有 196 项专利(其中发明专利 86 项、美国专利 2 项),集成电路布局图 39 项,软件著作权 1 项, 相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列。
此外,公司参与在 IEEE TDMR 等国际知名期刊中发表论文 22 篇,其中 SCI 收录论文 15 篇,持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平,已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
2、产品系列优势
公司目前主要产品为 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、沟槽型功率 MOSFET 等半导体芯片和功率器件,已拥有覆盖 12V~1700V 电压范围、0.1A~450A 电流范围的多系列细分 型号产品,是国内领先的半导体功率器件行业中 MOSFET 产品系列最齐全且技术领先的设计企业。
在 IGBT 领域,公司产品品类进一步丰富,除应用于光伏储能等领域的单管产品外,IGBT 模块产 品目前已经逐步实现小规模销售;在化合物半导体领域,公司的 SiC MOSFET 部分产品已通过客 户验证并实现小规模销售,GaN HEMT 部分产品开发完成并通过可靠性测试。
公司通过构建主要产品工艺技术平台,衍生开发细分型号产品,并持续升级产品工艺平台,形成了“构建-衍生-升级” 的良性发展模式,从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生,满足下游多个领域的需求,最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前,公司已拥有 3000 余款的细分型号产品,能够满 足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
3、产业链协作优势
IGBT、MOSFET 相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征,因此,IGBT、MOSFET 的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态,这使得 IGBT、MOSFET主要基于8 英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片,而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。公司目前是国内 8 英寸和 12 英寸工艺平台上 IGBT 和 MOSFET 芯片投片量最大的半导体功 率器件设计公司,并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系, 且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线,致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无 法找到代工资源的先进封装技术和产品,同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线,形 成了公司较为突出的产业链协作优势。
充电头网总结
2023年受经济环境下行导致下游需求减弱,国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致,公司营收同比下降18.46%。公司坚守稳固已有客户,开拓更多市场应用。一方面,公司积极挖掘原有市场客户的合作机会,通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入;另一方面,公司积极探索新的下游应用领域,在新能源汽车、光伏储能、AI 服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投入,推动和客户的战略合作,增加客户对公司品牌的认可度,进而形成战略互补深度合作,为公司获取更大的市场份额,提高公司市场竞争力。
温馨提示:以上信息仅供参考,不作为入市建议;投资有风险,入市需谨慎。
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