日前,专注于高性能、高品质模拟芯片和功率器件(MOSFET)研发设计和销售的国内著名半导体公司-泰德半导体发布旗下首款100V高耐压,超低Ciss寄生电容P-Channel MOSFET-TDM21019。
TDM21019是一款100V高耐压,RDSON=100毫欧(VGS=10V),Ciss=1400pF,持续电流12.7A P沟道MOSFET。
产品特点:
- 该器件为3*3mm DFN封装,极小的封装尺寸能够节约占板面积,对面积有要求的应用是很好的选择。
- 栅极驱动带ESD保护功能,有效防护瞬间静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)对器件的损伤。
- 超低的Ciss寄生电容,Ciss=1400pF,最大限度的降低开关损耗,提高转换效率,另外极低的寄生电容能够有效改善EMI电磁干扰。
- 100毫欧的RDSON,12.7A的持续电流能力,作为开关电源的主开关MOS,能够满足大部分的应用需求。
- 该产品可以作为电源驱动、DC-DC转换、同步整流等,适用于小家电、消费电子等场景。
据了解,泰德半导体推出的MOS目前已推出多个系列MOS器件,并在倍思、belkin、羽博、绿联、锤子、努比亚、南孚、MOMAX等众多知名品牌的快充中广泛应用,并获得客户一致好评。相信TDM21019的上市,也将获得快充电源厂商的青睐。
联系方式:
欢迎行业客户拨打电话:0755-26054997,或发邮件到:techcode@techcodesemi.com获取产品资料及样品
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