锐骏研发改进的新一代沟槽工艺MOSFET,具有很低的结电容CGD以及Crss。改善功率密度高的25-30W充电器及适配器效率与温度问题。
锐骏新一代沟槽MOSFET,具有超低导通阻抗;超低结电容; 更高开关频率等优点,广泛应用各种同步整流方案中。
锐骏shilding gate 工艺在Gate极和Drain极插入了屏蔽层,因此,VDS的Dv/Dt的任何振幅,都不影响VGS。电压变压由电流变化引起,由Gate端的电压平缓可推理,与Gate端同一水平面的P区的耗尽电荷数非常低,与Super junction MOS不同的是,锐骏Shilding Gate工艺的注入浓度使这种快速移动的多数载流子变化处于适中水平,不存在高辐射的影响 。
目前同步整流IC的技术日趋成熟,但是在PCB布线时必须使DS两端的走线尽量短,同步检测越精准,对干扰的要求越高。RUH60100M的D,S之间极低的耗尽电荷,使得Crss非常小,那么MOSFET在关断和导通的瞬态响应,D,S的震荡幅度都非常小,这一点可以从上图GS的电压低幅震荡上推导出来。因此,新工艺的RUH60100M会大大提高同步整流的稳定性,特别是输出大电流和CCM模式下高功率的同步整流。
RUH60100M特性总结:
1. 效率高,温度低以及温度特性平缓
2. 提高大电流的同步整流的稳定性,无论是DCM、CCM模式,对变压器漏感数值要求降低。
3.可高频率工作和大电流短路冲击。
的确不错,值得推广
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