Power Integrations正利用其高压PowiGaN™技术，助力新兴800VDC数据中心总线架构的发展。作为已实现量产1250V和1700V高压GaN开关的重点供应商，PI正与NVIDIA合作，加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。
 
我们于2025年OCP（开放计算项目）全球峰会上发布了一份白皮书，点击此处下载。其中重点介绍了1250V和1700V PowiGaN HEMT如何能够满足现代AI数据中心所需的效率、功率密度和可靠性要求。相较于堆叠式650V GaN FET和1200V SiC器件，单个1250V PowiGaN开关可显著提高性能并简化设计。
 
PowiGaN拥有独特优势
  • 可简化栅极驱动电路，带来更高的短路安全裕量和更安全的关断特性
  • 更高的开关频率，而不会像传统的FET开关那样带来效率损失
  • FIT小于1，证明其在严苛环境下具有高可靠性
  • 减少铜材用量，优化机架空间

凭借超过1.75亿个PowiGaN功率开关应用于快充、电动汽车和数据中心等领域，PI在高压GaN创新方面处于前沿地位。InnoMux2-EP开关IC可为800VDC数据中心内的辅助电源提供独特的解决方案。该IC内部集成的1700V PowiGaN开关支持1000VDC输入电压，其SR ZVS工作模式在液冷无风扇的800VDC架构中可为12V系统提供超过90.3%的效率。

 

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