拆解报告：KILLERBODY千世机甲漫威钢铁侠MK3胸像充电中心

前言

充电头网拿到了千世机甲推出的漫威钢铁侠MK3胸像充电中心，这是一款65W氮化镓充电器，采用钢铁侠胸像立体造型，拥有正版授权。充电器具备3C2A接口，任一USB-C接口均支持65W快充，USB-A接口支持30W快充输出。

充电器内嵌多组LED氛围灯，充电时为呼吸灯模式，具备不同灯光效果，能量炮音效和光效可由开关控制。头雕内部为透明设计，并设有炫酷眼灯和循环氛围灯。下面就带来千世机甲漫威钢铁侠MK3胸像充电中心的拆解，一起看看内部的设计和用料。

千世机甲漫威钢铁侠MK3胸像充电中心开箱

包装盒外层采用蓝色基调，正中印有MARVEL品牌。

包装盒背面印有产品信息和注意事项。

包装盒背面标注产品信息。

取下外层纸套，内部包装盒印有产品示意图。

内部包装盒印有产品功能和产品参数。

产品功能：

65W快速充电器2A/3C

头雕LED眼灯带音效

胸口反应堆LED灯带音效

底座呼吸氛围LED灯

充电能量激活音效

产品参数：

产品整体尺寸：106*106*168mm

头雕尺寸：36*62*43mm

材质：ABS，电子元件

输入：100-240V AC 50/60Hz 1.5A Max

输出：USB-C1/C2/C3：5V⎓3A，9V⎓3A，12V⎓3A，15V⎓3A，20V⎓3.25A（65W Max）

PPS：5-21V⎓3A

USB-C2+C3：5V⎓3A，9V⎓3A，12V⎓2.5A，15V⎓2A，20V⎓1.5A（30W+30W Max）

PPS：5-11V⎓3A

USB-A1+A2：5V⎓3A，9V⎓3A，12V⎓2.5A（30W+30W Max）

总输出功率：65W Max

包装内含充电器，电源线和使用说明书。

充电器附带电源线为八字线。

长度约为122.5cm。

充电器机身正面一览，胸口位置设有脉冲能量炮。

胸口处脉冲能量炮支持灯光效果。

机身正面下方设有USB-C母座。

底座上下均设有氛围灯。

底座正面印有The INFINITY SAGA字样。

机身侧面设有USB-C和USB-A接口。

USB-C和USB-A接口为橙色胶芯。

机身背面设有控制按钮。

控制按钮和扬声器发音孔特写。

底座背面设有八字线插座。

机身边缘设有防滑脚垫。

机身底部印有千世机甲和漫威logo。

拆下磁吸固定的充电器头雕。

头雕为磁吸可拆卸设计。

头雕内部设有LED灯珠，眼睛可以点亮。

头雕背面设有按钮开关。

头雕底部设有磁吸充电接口。

头雕两侧设有指尖陀螺。

头雕为透明设计，内部设有LED灯。

测得头雕长度约为63.3mm。

头雕高度约为42.9mm。

头雕宽度约为37.6mm。

测得充电器机身高度约为169.6mm。

机身宽度约为106.1mm。

机身深度约为101.5mm。

将充电器接通电源。

胸口脉冲能量炮光效亮起。

反应炉和底座氛围灯亮起。

充电器拿在手上的大小直观感受。

测得充电器重量约为322g。

使用ChargerLAB POWER-Z KM003C测得充电器USB-C接口支持QC3.0/5、FCP、SCP、AFC、PD3.0、PPS、DCP、Apple 2.4A充电协议。

PDO报文显示USB-C接口还具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五组固定电压档位，以及5-21V3A一组PPS电压档位。

机身右侧的USB-C接口支持的协议与机身正面的接口协议相同。

支持的PDO报文也相同，支持功率盲插。

机身左侧的USB-C接口支持QC3.0/5、FCP、SCP、AFC、SFCP、PD3.0、PPS、DCP、Apple 2.4A充电协议。

此外PDO报文也相同，支持功率盲插。

测得USB-A口支持QC3.0、FCP、SCP、AFC、SFCP、DCP和Apple 2.4A充电协议。

另一个USB-A口支持QC3.0、FCP、SCP、AFC、DCP和Apple 2.4A充电协议。

千世机甲漫威钢铁侠MK3胸像充电中心拆解

看完了千世机甲漫威钢铁侠MK3胸像充电中心的外观，下面就进行拆解，一起看看内部的设计和用料。

撕下机身底部的脚垫，拧下固定螺丝，拆开底座。

底座通过导线连接到机身内部。

导线通过插接件连接。

PCBA模块通过螺丝固定在底座内部。

机身内部设有螺丝固定。

拧下固定底座，拆下底座氛围灯导光板，并拆下头雕和外壳。

外壳内部设有装饰图案。

外壳背面也设有装饰图案。

拧下固定螺丝，拆开上层壳体。

壳体内部设有降压小板，LED灯小板，扬声器，开关和磁吸充电触点。

壳体内部PCBA模块通过螺丝固定。

从壳体中取出PCBA模块。

PCBA模块正面一览，左侧为交流输入端，设有保险丝，压敏电阻，NTC热敏电阻，共模电感，安规X2电容。中间位置设有高压滤波电容，差模电感，变压器，右侧设有滤波电容，滤波电感，降压电感和连接插座。

PCBA模块背对应器件位置涂胶密封保护。

清理掉密封胶，左上方设有整流桥，中间位置设有初级主控芯片，下方设有氮化镓开关管，右上方设有贴片Y电容，同步整流控制器和同步整流管。右侧设有同步降压芯片和主控MCU，PCBA模块边缘设有LED灯。

输入端保险丝来自诚润电子，规格为3.15A 250V。

压敏电阻来自嵩隆，型号VDR-10D681K，用于吸收过压浪涌。

NTC热敏电阻来自时恒电子，为MF72系列，丝印1.5D9，用于抑制上电的浪涌电流。

共模电感采用漆包线和绝缘线绕制。

安规X2电容来自松田电子，规格为0.22μF。

另一颗共模电感采用漆包线绕制。

整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司，型号WRMSB60M，为超软恢复整流桥，规格为6A 1000V，采用MSB封装。

滤波电容来自云星，规格为39μF400V。

差模电感外套热缩管绝缘。

另一颗滤波电容规格为33μF400V。

初级主控芯片来自英集芯，型号为IP2006，是一款高性能多模式反激控制器，芯片具备频率折返和谷底导通技术，并支持自适应开关频率，提高轻载效率，最大开关频率得到优化，降低温升，并提高满载效率。

IP2006还具备突发模式，能够在轻载和空载下降低待机功耗，满足CoC V5和DoE VI标准，芯片具备完善的保护功能，包括Brown-in/Brown-out、输出过压保护、输出欠压保护、VDD过压保护、输入过压保护和过热保护，并且支持参数定制，支持过功率保护，采用SOT23-6封装。

英集芯 IP2006 资料信息。

为主控芯片供电的滤波电容来自云星，规格为10μF100V。

初级开关管来自英诺赛科，丝印70TK190B，型号INN700TK190B，是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管，器件在原有650V耐压基础上升级至700V，瞬态耐压为800V，导阻为190mΩ。

英诺赛科INN700TK190B支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规，适用于AC-DC转换，DC-DC转换等高能效高密度应用，采用TO-252封装。

英诺赛科 INN700TK190B 资料信息。

充电头网通过拆解了解到，英诺赛科氮化镓芯片目前已被三星，OPPO，VIVO，联想，雅迪，LG，华硕，安克，努比亚，倍思，绿联，闪极等多家知名品牌和厂商所采用，出货量突破15亿颗。

变压器磁芯采用胶带缠绕绝缘，滤波电容和变压器等元件通过打胶加固。

两颗贴片Y电容来自精勤，料号均为SMD-1Y1X1Y5U102M。

HK1019光耦用于输出电压反馈。

同步整流控制器采用英集芯IP2008，这是一款支持宽电压输出系统的同步整流控制器，用于驱动高效反激变换器中的次级整流MOSFET，可取代肖特基二极管。通过检测同步整流（SR）MOSFET的漏极-源极电压，IP2008可以输出理想的驱动信号开通或关断MOSFET。

同步整流的应用可以有效降低二次侧整流器的功耗，获得更高的效率和更低的温升，实现更高的功率密度。仅需极少的外围器件，IP2008就可以为3.3-21V输出电压应用提供高性能的解决方案。

IP2008无需辅助绕组供电，内部的稳压电路就可以产生合适的电源电压，这使得它适用于具有低输出电压要求的充电器应用，或采用高侧同步整流方案的适配器应用。

为了保证快速关断MOSFET的能力，随着次级电流的减小，IP2008通过降低MOSFET的驱动电压来将MOSFET的导通压降调节至约40mV，并在漏极-源极电压反向之前将其迅速关断。可配置的振铃检测电路防止IP2008在不连续导通模式（DCM）和准谐振时的VDS振铃导致错误开启。IP2008采用SOT23-6封装。

同步整流管来自德普微，丝印053N10FG，采用PDFN5*6封装。

两颗滤波电容规格为680μF25V。

滤波电感采用漆包线绕制，底部打胶加固。

滤波电容规格为100μF25V。

同步降压转换器来自硅动力，型号SP1081F，芯片支持4.5-30V输入电压，支持3.1A输出电流，芯片内部集成开关管，具备全面的保护功能，采用SOP-8L封装。

降压电感采用漆包线绕制。

滤波电容来自绿宝石，规格为220μF6.3V。

无标MCU用于灯光和声音控制。

PCBA模块正面的RGB LED特写。

PCBA模块背面边缘的蓝色LED特写。

电源PCBA模块通过导线连接到降压小板。

降压小板正面设有滤波电感，滤波电容，降压电感，协议芯片和连接插座。

另一面焊接连接插座，同步降压控制器，同步降压开关管，VBUS开关管和USB-C母座。

同步降压控制器采用英集芯IP6550，这是一款支持36V输入的同步降压控制器，内置NMOS管驱动，外置两个MOS管进行高效同步整流降压。开关频率135KHz，输入端耐压48V，内置完善的保护功能。英集芯IP6550采用3*3mm QFN16封装，可实现简化的同步降压转换电路设计。

IP6550可用于车载充电器、多口适配器、智能插排、支持USB-C接口的插排以及行车记录仪应用。同步整流降压具有高转换效率，高输出电流可用于多口5V输出，搭配PD协议芯片可实现宽范围电压调节，满足USB PD3.1的应用。

英集芯 IP6550 资料信息。

同步降压开关管来自维安，丝印070N04L4，型号WMQ070N04LG4，NMOS，耐压40V，导阻6.2mΩ，采用PDFN3030-8L封装。

滤波电感采用漆包线绕制。

降压电感采用漆包线绕制。

滤波电容来自永立，规格为470μF25V。

协议芯片来自英集芯，型号IP2723T，该芯片已通过USB IF协会PD3.0 PPS认证，TID：3135，是一款集成多种协议、用于USB输出端口的快充协议IC。支持多种快充协议，包括USB TypeC DFP、PD2.0/3.0、PPS 、HVDCP、QC4、QC4+、QC3.0/2.0、FCP、SCP、AFC、MTK PE+ 2.0/1.1、Apple 2.4A、BC1.2以及三星2.0A。

可为适配器、车充等单向输出应用提供完整的TYPE-C解决方案。此外IP2723T具备高集成度与丰富功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。

英集芯 IP2723T 资料信息。

VBUS开关管来自维安，丝印Q32N03S，型号WMQ32N03TS，NMOS，耐压30V，导阻6.9mΩ，采用PDFN3030-8L封装。

USB-C母座设有LED指示灯，并设有稳压管用于过压保护。

USB-C母座采用过孔焊接固定，橙色舌片不露铜。

另一块降压小板也通过导线连接。

小板左右两侧设有USB-C母座，滤波电容，VBUS开关管，同步降压开关管和同步降压控制器。

另一面焊接USB-A母座，VBUS开关管，协议芯片和降压电感。

同步降压控制器采用英集芯IP6550。

同步降压开关管采用维安WMQ070N04LG4。

降压电感采用漆包线绕制。

滤波电容规格为470μF25V。

USB-C和USB-A口协议芯片来自英集芯，型号为IP2726，是一颗应用非常广泛的协议芯片。英集芯IP2726是一颗集成多种协议、用于USB输出端口的快充IC，支持Type-C DFP、PD2.0/3.0、PPS、QC4+、QC2.0/3.0、FCP、AFC、SCP、MTK PE+、Apple2.4A、BC1.2以及三星2A等协议。具有高集成度和丰富的功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。