拆解报告：SAMSUNG三星60W零待机功耗氮化镓快充充电器EP-T6010

前言

最近充电头网拿到了三星一款60W氮化镓快充充电器，这是一款专为三星2025年及以后发布的旗舰机型设计的电源适配器，除采用氮化镓技术以及能够为三星旗舰机提供60W大功率快充外，产品还有一大核心技术亮点，便是实现了待机零功耗。

充电头网了解到，为达成这一目标，产品基于晶丰明源BP87650A+BP62650A电源方案设计，搭配其专利磁耦通讯反馈元件BP818，无需偏置电流即可实现初次级通信，进一步消除了反馈环路带来的待机损耗，实现整套方案功耗低至2mW以下，远低于IEC62301标准所规定的数值，可为更高功率快充产品的能效升级预留充足余量。

作为全球消费电子领军企业，三星早在2021年就明确提出，其手机充电器产品上执行的20mW待机标准在2025年前要全部更换至5mW。这款充电器的推出，既兑现了三星当年的能效承诺，也为行业树立了新的技术标杆。下面我们就来看看产品的具体设计。

三星60W零待机功耗氮化镓充电器开箱

包装盒外观延续经典样式设计，正面印有SAMSUNG品牌、产品名称及其机身正面、顶部外观图。

背面印有包装清单、产品参数、生产日期以及相关提示信息等。

包装盒上参数特写，下面到产品实物展示环节再介绍。

包装内含充电器、三包凭证以及有毒有害物质清单。

充电器延续家族经典样式设计，机身通体黑色，表面磨砂工艺处理抗指纹。

机身正面中心是经典闪电logo和“Super Fast Charging”设计。

侧面印有60W和Low Standby。

背面印有充电器参数信息。

充电器参数特写

型号：EP-T6010

输入：100-240V~50/60 1.6A

输出：（PDO）5V3A、9V3A、15V3A、20V3A

（PPS）5-20V3A（15-60W）

生产厂：RFTECH THAI NGUYEN CO., LTD

充电器通过了CCC认证和VI级能效认证。

充电器配备新国标插脚。

顶部配备单USB-C接口，居中布局。

实测充电器机身长度为48.08mm。

宽度为46.13mm。

厚度为28.11mm。

和苹果67W充电器放在一起对比，体积优势很明显。

产品拿在手上的大小直观感受。

另外测得充电器重量约为103g。

测得USB-C口支持PD3.0、PPS、QC5、DCP充电协议。

PDO报文显示还具备5V3A、9V3A、15V3A、20V3A四组固定电压档位，以及5-11V5A、5-16V4A、5-21V3A三组PPS电压档位。

使用三星这款60W零待机功耗氮化镓充电器给Galaxy S26 Ultra充电，测得充电功率约为51.54W。

实测110V输入情况下，三星60W零待机功耗氮化镓充电器的空载待机功耗为1.23mW。

220V输入情况下，三星60W零待机功耗氮化镓充电器的空载待机功耗为1.8mW（由0.0018W换算而得）。

据《IEC62301 家用电器待机功耗的测量》这一标准规定，功耗<5mW即为零待机，基于晶丰明源BP87650A+BP62650A电源方案设计的这款三星充电器实测数据完全符合标准。

三星60W零待机功耗氮化镓充电器拆解

将充电器机身顶部外壳拆开，边缘采用超声波焊接封装。

由于PCBA模块灌胶的缘故，固定十分牢固，只能通过进一步切割外壳取出。

壳体内侧四面均做了绝缘散热设计。

内侧粘贴的都是铜箔以及耐高温绝缘胶带。

输入端为接触式通电设计，插脚与金属片压接。

实测PCBA模块长度为44.45mm。

宽度为42.81mm。

厚度为23.66mm。

PCBA模块包裹散热铜片，同时输入端以及中段区域灌胶处理。

将导热胶以及散热铜片清理掉，散热铜片一体式设计，并且完全包裹胶带绝缘，对应PCB板背面部分还贴有麦拉片进行隔离。

PCBA模块正面设有共模电感、滤波电容、变压器等器件，整体布局紧凑有序。模块左侧还焊接两块小板，初次级间做了隔离，USB-C接口母座外套塑料壳加固保护。

主板背面设有初级主控芯片、磁耦、贴片Y电容以及协议芯片。

PCBA模块一侧焊接输入小板、共模电感、整流小板、高压滤波电解电容以及差模电感，整流小板两面都贴有导热陶瓷板。

将输入小板拆下，板子正面设有延时保险丝以及共模电感。

延时保险丝来自贝特电子，出料号932，规格为2A 250V。

小板上共模电感打胶加固。

另一颗共模电感特写，采用两颗滤除EMI干扰。

整流桥型号RULBF810T。

高压滤波电解电容来自CapXon丰宾，规格为400V27μF。

差模电感包裹绝缘胶带。

模块前端设有另外三颗高压滤波电解电容。

三颗高压滤波电解电容也是来自丰宾，规格都是400V18μF。

另一侧设有主控芯片供电电容、变压器以及固态滤波电容，变压器外套塑料壳加固，同时起到隔离绝缘作用。

将电容、变压器等器件拆掉后，可以看到主板正面变压器下方区域还设有氮化镓功率开关管、次级控制器、同步整流管以及VBUS开关管。

主控芯片供电电容来自丰宾，规格为80V10μF。

初级主控芯片来自BPS晶丰明源，型号BP87650A，这是一款高性能准谐振反激式控制器，可在快速充电器应用中实现零空载功耗。该芯片通过磁耦合器BP818与次级侧控制器BP62650A进行通信，实现次级侧调节。由于磁耦合器工作时无需偏置电流，系统空载功耗显著降低至5mW以下。

BP87650A工作在QR/DCM常规模式下，并采用谷底开关技术以实现高效率与优良的EMI性能。其集成了增强型氮化镓功率晶体管栅极驱动器、700V高压启动电流源以及支持高达150V输入的辅助供电模块，高度集成的特性可大幅减少外部元件数量并降低系统成本，是凑型旅行适配器应用的理想选择。

BP87650A还提供完备的保护功能，确保系统在异常条件下免受损坏。芯片采用SSOP-10封装，符合MSL-3湿敏等级标准。

氮化镓功率开关管来自纳微，型号NV6015C，这是一颗高性能增强型氮化镓功率开关管，内部集成Source Kelvin引脚以增强抗噪能力。采用底部散热的5×6mm QFN封装，有效降低热阻和封装电感，节省占板面积。

NV6015C内置150mΩ导通电阻，耐压700V（支持800V瞬态过压），开关频率高达10MHz，具有超低的栅极电荷、零反向恢复电荷和低输出电荷，显著降低开关损耗。

变压器特写。

晶丰明源专利的磁耦通讯反馈元件BP818，与光耦外观相同，已经通过了全球安规认证。器件内置两个耦合线圈用于初次级通信，无需偏置电流，有效降低了待机功耗。

晶丰明源BP818资料信息。

贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TMY1101K。

特锐祥贴片Y电容资料信息。

晶丰明源BP62650A是一款AC/DC次级侧控制器，与BP87650A配合使用，可在旅行适配器应用中实现零待机功耗。该芯片采用基于输出电压纹波的控制算法，可实现快速瞬态响应，同时无需复杂的环路补偿电路。

BP62650A通过磁耦合器BP818向初级侧控制器发送请求信号，实现对输出电压的调节。在待机状态下，BP62650A可受控进入超低功耗休眠模式，次级侧功耗极低，同时消除了反馈电阻网络的损耗，且磁耦合器无需偏置电流，所有这些使得系统功耗远低于5mW。

BP62650A集成了先进的同步整流控制器，可优化驱动占空比，提升系统效率。借助电荷泵供电，其输出电压可低至2.8V。芯片采用QFN3*3-16L封装，符合MSL-3湿敏等级标准。

同步整流管来自韩国SemiHow，型号HRLF69N10，采用DFN5*6封装。

两颗输出滤波固态电容也是来自丰宾，规格均为28V390μF。

协议芯片同样来自晶丰明源，型号BP63430N，这是一款高度集成的Type-C/PD和DPDM快充协议源端控制器，符合最新的USB Type-C和PD 3.1标准，支持BC1.2、QC5/4+/3+/3.0/2.0、UFCS等主流快充协议，并支持私有协议定制，适用于电源适配器、墙插充电器、车载充电器等应用。