随着AI大模型算力需求的爆发式增长，AI服务器功耗已从几百瓦飙升至千瓦甚至万瓦级别。作为服务器电源的核心开关器件，传统MOSFET的散热瓶颈正成为制约功率密度提升的“卡脖子”环节。

维安（WAYON）依托其第四代功率沟槽MOSFET技术，推出双面散热（Dual-side Cooling）系列MOSFET，以革命性的热管理方案，直击AI服务器、BMS及高功率DC/DC转换器的痛点。

目前维安双面散热MOSFET系列已拥有WMBD005N03LG4、WMBD007N04HG4、WMBD010N06HG5、WMBD030N10HG4四个主力选型，耐压覆盖30V至100V完整电压链路，导通电阻低至0.55mΩ，可全面满足AI服务器从高压输入级、48V母线转换、二次侧同步整流到GPU/CPU核心VRM的全链路功率设计需求，为钛金级服务器电源、AI加速卡供电、大电流热插拔及储能一体机等场景提供高性能、高可靠的MOSFET解决方案。

WMBD005N03LG4——低压大电流场景首选

WMBD005N03LG4专为AI服务器GPU核心供电及非隔离负载点电源设计。0.55mΩ的超低导通电阻可大幅降低导通损耗，配合482A的电流承载能力，能够从容应对大电流场景。低阈值电压特性使其兼容低压驱动电路，简化系统设计。

WMBD007N04HG4——48V转12V中间总线理想之选

WMBD007N04HG4适用于AI服务器48V转12V中间总线转换器。0.62mΩ低导通电阻与108nC栅极电荷的均衡搭配，兼顾导通损耗与开关损耗。高达980mJ的雪崩耐量，为系统提供充足的感性负载尖峰吸收能力。

WMBD010N06HG5——服务器VRM与电机驱动通用型号

WMBD010N06HG5适用于服务器VRM（电压调节模块）及散热风扇电机驱动。60V耐压提供充足的电压裕量，1.05mΩ导通电阻在效率与成本之间取得良好平衡。适中的输入电容便于驱动电路设计，降低驱动损耗。

WMBD030N10HG4——48V电池保护与高侧开关首选

WMBD030N10HG4专为AI服务器48V电池管理系统（BMS）及DC/DC变换器原边开关设计。100V耐压充分覆盖48V系统在充饱和电机反电动势场景下的电压尖峰，2.5mΩ导通电阻在高压器件中表现优异。经严苛堵转测试验证，可满足AGV等大功率电机驱动应用需求。

双面散热封装：突破传统散热瓶颈

维安双面散热MOSFET采用创新的封装设计，在保留传统底部PCB散热路径的基础上，新增顶部铜夹片散热通道，形成双向散热架构。相比传统单面散热器件，该系列产品具备以下显著优势：

更优的热管理能力：提供额外的顶部散热路径，有效降低器件结温

更高的功率密度：突破PCB散热限制，支持更大电流输出能力

增强的系统可靠性：均匀分布热量，减少局部热点风险

便捷的升级路径：兼容标准PDFN5060封装，无需修改PCB布局即可直接替换

全面的雪崩耐量保障：100% EAS测试，确保在严苛工况下的稳定性

总结

安双面散热MOSFET系列凭借创新的封装设计与卓越的电气性能，为AI服务器电源提供了兼具效率与可靠性的解决方案。从30V核心供电到100V电池保护，全系列产品覆盖完整电压链路，助力系统设计师突破散热与功率密度的双重瓶颈。