随着 AI 大模型算力需求爆发，数据中心电源正朝着大功率、高压直流、超高功率密度方向快速升级。

AOS万国半导体凭借在功率半导体领域的深厚技术积累，正式推出面向 AI 服务器与新一代数据中心的完整电源解决方案，全面适配主流5.5kW AC/DC架构与前沿800V HVDC高压直流架构，为 AI 训练、推理及高密度算力集群提供高效、稳定、高可靠的功率器件支撑。

AOS万国半导体本次发布的方案以硅基功率器件 + 宽禁带半导体 + 驱动 IC三位一体为核心，覆盖从高压输入、PFC、LLC、同步整流，到 48V 转 12V 中间总线、GPU/CPU 核心供电、热插拔保护的全链路电源转换环节，产品已进入多家头部电源厂与 AI 芯片厂商供应链并实现批量导入。

宽禁带半导体重构高压高效架构

AOS万国半导体第三代 SiC 碳化硅方案提供750V–1200V电压平台，在高温特性与高频开关性能上实现均衡优化，显著降低导通与开关损耗，适配 PFC、LLC、BBU 备援电池模块等高可靠场景，可支撑 30kW 级 HVDC 架构稳定运行。

AOS万国半导体 GaN 氮化镓方案聚焦超高频、超紧凑应用，覆盖100V–700V电压段，适配 800VDC 转 50V、48V 转 12V 等高功率密度 DC/DC 模块，配合 DFN、TOLL、FCQFN 等先进封装，大幅提升系统效率并缩小体积，满足 AI 服务器对极致空间与散热的严苛要求。

高压超结 MOSFET 夯实关键任务电源

AOS万国半导体新一代αMOS E/E2 高压超结 MOSFET平台，在 FOM 优值、短路耐受、雪崩鲁棒性、体二极管反向恢复等关键指标全面领先，可从容应对雷击、浪涌、短路、软启动等极端工况，特别适合5.5kW AI 服务器电源、工业级关键电源等对可靠性要求极高的场景，兼顾高效率与高稳定性。

中低压 SGT MOSFET 主导大电流后级方案

面向服务器后级大电流应用，AOS万国半导体推出25V–150V αSGT 中低压 MOSFET系列，导通电阻更低、开关速度更快，提供DFN5×6、TOLL、LFPAK等多种顶部散热/双面散热封装，广泛用于：

48V/12V 同步整流 SR；

大功率 DC/DC 模块；

12V/48V 热插拔开关；

GPU/CPU 核心 VRM 供电；

以低损耗、大电流、高 SOA 安全工作区，支撑 AI 服务器千安级瞬态电流需求。

专用驱动 IC 与电源管理芯片完善生态

为最大化功率器件性能，AOS 万国半导体同步推出专为 AI 服务器电源优化的配套驱动与控制 IC 系列，从驱动强度、开关时序、保护机制三方面与 MOSFET、SiC、GaN 器件深度匹配，充分释放低导通电阻与高频开关优势，有效降低开关损耗、抑制串扰与振铃，提升系统效率与可靠性。

AOZ32101ADV：100V 半桥驱动，适配硅基 MOS，强驱动能力与宽压输入，满足电机与 DC/DC 应用。

AOZ32102LV：100V GaN 专用驱动，内置自适应防直通、快速响应，保障高频系统可靠运行。

多相同步降压控制器，支持PMBus/AVSBus数字接口，适配 AI 服务器多核 CPU/GPU 高精度、大动态负载供电。

总结

AOS万国半导体以全电压、全拓扑、全场景的功率半导体布局，打通 AI 服务器电源从高压输入到低压核心供电的完整技术链路，产品覆盖 SiC/GaN 宽禁带、高压超结 MOS、中低压大电流 SGT MOS 及专用驱动 IC，全面满足 5.5kW 常规架构与 800VDC HVDC 新一代架构需求，助力 AI 数据中心实现更高效率、更高功率密度、更高可靠性，成为新一代 AI 算力基础设施的核心电源器件方案。