随着生成式 AI 与大模型算力快速增长，数据中心与服务器电源正迎来高功率、高效率、高密度升级浪潮。英飞凌科技凭借工业级 CoolGaN™氮化镓技术，推出覆盖低压至高压、分立器件到系统级的完整解决方案，可广泛应用于 AI 服务器、数据中心电源、BBU 电池备份单元、IBC 中间总线转换器等场景，以超高速开关、零反向恢复、高功率密度等优势，破解 AI 算力供电瓶颈，推动数据中心迈向低碳高效。

面对单 GPU 功耗接近 2000W、机架功率突破 300kW 的严苛需求，传统硅基器件已难以兼顾效率、体积与可靠性。英飞凌 CoolGaN™氮化镓击穿场强达硅材料 10 倍，具备零反向恢复电荷、低栅电荷等特性，可实现功率损耗降低 50%、功率密度提升 3 倍以上，完美适配 800V 高压架构与高密度电源设计。

英飞凌推出 CoolGaN™ G3/G5 全系列器件，覆盖 100V–700V 耐压，通过 JEDEC 工业标准认证。

其中 G3 低压系列面向 48V IBC、同步整流等场景，G5 高压系列适配图腾柱 PFC、高频 LLC 等高功率拓扑，可满足 AI 服务器 AC-DC 电源等高要求应用。依托 8 英寸晶圆量产与多样化封装，产品一致性与散热表现优异，为电源设计提供高度灵活选择。

在系统方案层面，英飞凌通过 CoolGaN™与 CoolSiC™、CoolMOS™协同，打造 12kW 高功率密度 AI 服务器电源参考设计，整体效率与功率密度大幅超越传统方案，支持服务器电源向更高功率演进。针对 800V 高压 BBU 场景，其 CoolGaN™双向开关（BDS）可实现单颗双向阻断，显著优化体积、损耗与寄生参数，保障算力基础设施稳定供电。

【工程师福利：英飞凌 CoolGaN™氮化镓芯片免费领样】

在 2026 世界 AI 服务器电源大会期间，英飞凌正式开启CoolGaN™氮化镓芯片免费领样活动。本次开放 10 款通过 JEDEC 认证的主力型号，覆盖 100V–700V 全耐压区间，工程师可通过线上及原厂渠道快速申领样品，同步获得全套技术资料与原厂技术支持，降低研发验证门槛，加速 GaN 在 AI 算力与服务器电源领域的规模落地。