意法半导体第三代 SiC MOSFET进入国际2700W服务器电源！

当前服务器电源功率和功率密度不断提升，图腾柱PFC逐渐应用于千瓦级高功率平台。相比传统PFC架构，图腾柱方案能够减少功率转换路径中的部分导通损耗，但高速桥臂也对开关器件的导通性能和开关速度提出了更高要求。

功率之心近期通过拆解发现，麦格米特2700W钛金服务器电源在图腾柱PFC高速桥臂采用了ST意法半导体SCT027TO65G3碳化硅MOSFET。

该器件基于第三代SiC MOSFET技术，具备650V耐压、60A额定电流以及29mΩ典型导通电阻，主要负责PFC高速开关和升压功率转换。

意法半导体第三代SiC用于图腾柱PFC高速桥臂

麦格米特这款服务器电源采用标准CRPS185尺寸，支持100-120V、180-264V交流输入以及180-320V直流输入。

在220-264V交流或220-320V直流输入条件下，主路输出达到12.2V/225A，最大功率2700W，同时提供12V/3A待机输出。

整机采用图腾柱PFC、全桥LLC以及同步整流架构。PCBA模块中部设置图腾柱PFC功率小板，其中快管小板垂直安装，并布置隔离驱动和高速功率器件。

拆解发现，图腾柱PFC快管采用两颗意法半导体SCT027TO65G3。该器件采用TO-LL贴片封装，耐压650V，额定电流60A，典型导通电阻为29mΩ。

据了解，SCT027TO65G3采用第三代SiC MOSFET技术，并具备低导通电阻、低寄生电容和高速开关等特点。

在这款2700W服务器电源中，SCT027TO65G3主要承担图腾柱PFC高速桥臂开关任务。器件按照控制信号高速导通和关断，配合PFC电感完成输入电流整形和升压，将能量送入后级高压直流母线。

对于图腾柱PFC而言，高速桥臂需要持续进行高频换流，功率器件的导通电阻和开关特性都会影响PFC级损耗。

SCT027TO65G3采用SiC材料，在降低导通损耗的同时，也具备较快的开关性能，有助于减少高频开关过程中的损耗和发热。

此外，SCT027TO65G3采用TO-LL贴片封装，并带有独立源极检测引脚，可优化功率回路与栅极驱动回路之间的连接。对于内部采用多块功率小板、空间紧凑的CRPS电源而言，这类贴片封装也有利于提升功率级集成度。

这款2700W钛金服务器电源采用两颗意法半导体SCT027TO65G3作为图腾柱PFC高速开关管，通过650V耐压、29mΩ典型导阻以及第三代SiC MOSFET技术，承担前级高频开关和升压功率转换任务。

在3kW级服务器电源不断向高效率、高功率密度发展的背景下，图腾柱PFC对高速功率器件的性能要求也更加突出。第三代SiC MOSFET进入高速桥臂，为降低前级开关损耗和控制温升提供了器件基础。