零刻EQ mini迷你主机搭载采用Intel 18A制程工艺的酷睿3 304处理器，配备12GB LPDDR5内存、512GB UFS 3.1存储，并提供双雷电4接口、万兆网口及双M.2扩展接口。在迷你机身中集成丰富功能的同时，也对处理器供电效率及散热设计提出了更高要求。

功率之心近期通过拆解发现，零刻EQ mini计算板在CPU核心供电部分采用了Vishay威世SiC654A DrMOS集成功率级芯片。

该器件将栅极驱动器与上下桥臂MOSFET集成于一体，单颗支持50A连续输出电流，配合多相降压控制电路，为处理器提供稳定、高效的核心供电。

威世SiC654A用于CPU多相供电

零刻EQ mini采用英特尔酷睿3 304处理器，具备5核心5线程，最高睿频4.3GHz。整机采用45W内置电源设计，输出规格为12V/3.75A，再由计算板上的降压电路为处理器及其他芯片提供所需电压。

拆解显示，计算板正面处理器下方设有多相供电电路，采用多颗威世SiC654A DrMOS，旁边布置0.15μH降压电感，并通过导热垫与散热模组接触，帮助功率器件散热。

SiC654A属于威世VRPower系列集成功率级，单颗支持50A连续输出电流，最高开关频率可达2MHz，支持3.3V PWM控制逻辑，采用5×5mm PowerPAK MLP55-31L封装，适用于处理器多相同步降压供电。

在这款迷你主机中，SiC654A主要承担CPU核心供电的功率转换任务。芯片根据外部PWM控制信号，驱动内部上下桥臂MOSFET交替导通和关断，配合降压电感将输入电压转换为处理器所需的低压电源，并通过多相工作方式分担供电电流。

SiC654A采用威世TrenchFET技术，并集成自适应死区控制及零电流检测功能，有助于降低功率转换过程中的导通和开关损耗，兼顾轻载与高负载条件下的转换效率。

此外，芯片还集成过流保护、过温保护、欠压锁定及高侧MOSFET短路检测，并支持温度状态报告，为处理器供电系统提供更完善的运行监测和保护能力。

对于零刻EQ mini这类内部空间有限的迷你主机而言，DrMOS将驱动器与功率MOSFET集中封装，能够减少分立器件数量、缩短驱动回路，并配合多相供电设计兼顾输出能力、转换效率和PCB空间利用率。

总结

此次拆解的零刻EQ mini迷你主机采用3颗威世SiC654A DrMOS构成CPU多相供电功率级，利用50A连续输出电流能力、高集成度设计及完善的保护功能，为Intel 18A处理器提供核心供电支持。

对于这类迷你主机而言，处理器供电不仅需要满足快速变化的负载需求，还要在有限空间内控制功率损耗和温升。

威世SiC654A将驱动与功率器件集成，并配合多相降压架构，在提升供电集成度的同时兼顾效率和散热需求。