?spm_id_from=333.999.0.0&vd_source=aa9eff951c0b3259427b5bcd3a7cafd9 参考设计中采用集成驱动和保护功能的 LMG3410R050 600V GaN FET，高开关频率可降低损耗，提高效率。多电平方式支持使用 600V 耐压的氮化镓器件，并支持更高开关频率。内置 UCC21541 双通道隔离式栅极驱动器用于驱动硅半桥，内置 AMC3302 隔离放大器用于进行分流式电流感测。