前言

MOCVD外延设备是一种用于在衬底上生长化合物半导体单晶薄膜的精密设备。它通过将Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，在高温下进行热分解反应，从而实现气相外延生长，可用于制备半导体材料GaN。

近年来，中国企业在MOCVD设备领域取得重要突破，逐步打破海外企业垄断。而今年6月，充电头网了解到无锡先为科技完全自主知识产权的自主研发GaN MOCVD BrillMO外延设备已成功发货，能够显著提升GaN器件生产效率并降低使用成本。

先为科技自主研发的首台GaN MOCVD Brillmo外延设备正式交付

2025年6月16日，无锡先为科技有限公司（下文简称“先为科技”）自主研发的首台GaN MOCVD Brillmo外延设备正式交付国内头部化合物半导体企业，标志着公司在化合物半导体装备领域取得重大突破。

江苏省半导体行业协会秘书长秦舒、无锡市集成电路学会秘书长周德金、江南大学集成电路学院教授敖金平、先导集团董事长王燕清等嘉宾出席发货仪式并致辞。

本次交付的设备性能达行业领先水平，其独特的温场和流场设计确保高质量成膜，为功率芯片、射频芯片及Micro LED芯片的GaN外延制造提供坚实保障。设备兼具高产能与低成本优势，可显著提升客户生产效率，提供优异的GaN外延加工解决方案。

充电头网总结

作为先为科技正向自主研发的成果，该设备拥有完全自主知识产权，有力推动了化合物半导体外延设备的国产化进程。此次交付不仅是先为科技发展的里程碑，也是先导集团“装备自主”战略在半导体领域的又一重要成果。

无锡先为科技有限公司（简称"先为科技"）是一家致力于化合物半导体外延设备的研发、制造与销售的创新型和科技型企业，为全球客户提供高端化合物半导体外延设备与服务。

先为科技是先导集团在半导体产业的关键企业，公司依托集团在高端装备制造领域的深厚积累，在化合物半导体外延设备领域，拥有正向研发且知识产权自主可控的GaN MOCVD外延设备、SiC Epi外延设备，应用于功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生产制造，各项性能均达到行业领先水平，为客户提供高可靠性、高性能的量产外延装备及全生命周期解决方案。