前言
机械革命是一个专注于高性能游戏本的品牌。自品牌成立以来，机械革命依托于来自全球的专业游戏硬件厂商、外设制造商及电脑整机供应链资源，持续为游戏发烧友打造高配置、高性能的笔记本电脑产品。为追求更极致性能释放，机械革命对电源适配器设计都有着严苛的要求，其功率器件的选型与设计直接影响到笔记本的性能释放与长期稳定性。
我们近期对三款机械革命笔记本适配器进行了深度拆解分析，重点探究了其中的功率器件选型。通过逐一解析，希望能够为工程师以及爱好者在适配器设计与器件选型上带来新的思路。
机械革命笔电适配器内置功率器件
以上是机械革命笔电适配器内置功率器件的部分参数，详情请参见下文。
机械革命280W碳化硅电源适配器
机械革命推出一颗游戏本标配的一款电源适配器，为能够让设备充分运转，电源功率达到了280W，并且从铭牌可以了解到，这还是一款碳化硅电源适配器。
内置功率器件
CETC国基南方WM2A060065N
PFC升压开关管来自CETC国基南方，型号WM2A060065N，是一颗碳化硅开关管。
MagnaChip美格纳MMF60R115P
用于LLC半桥的两颗MOS管来自MagnaChip美格纳，实际型号为MMF60R115P，NMOS管，耐压650V，导阻0.115Ω，采用TO-220F封装。
TOSHIBA东芝TPH2R306NH
四颗MOS管均来自东芝，型号TPH2R306NH，NMOS管，导阻1.9mΩ，耐压60V，使用两颗并联，采用SOP封装，用于LLC同步整流。
未知器件
PFC升压整流管丝印被打磨，信息不详。
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内置功率器件
Innoscience英诺赛科INN650D150A
PFC升压开关管来自英诺赛科，型号为INN650D150A，是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，导阻150mΩ，采用DFN8*8封装。INN650D150A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。
Msemitek美浦森MSD06065G1
PFC整流管来自Msemitek美浦森，型号为MSD06065G1，是一颗650V耐压，150℃连续正向电流6A的碳化硅二极管，采用TO-252封装。
Msemitek美浦森SLM120N03T
输出VBUS开关管来自美浦森，型号SLM120N03T，NMOS管，耐压30V，导阻2.6mΩ，采用DFN5*6封装。
JJM捷捷微电JMSH1004BG
同步整流管来自JJM捷捷微电，型号JMSH1004BG，NMOS管，耐压100V，导阻3.3mΩ，采用PDFN5*6-8L封装。
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内置功率器件
ST意法STL24N60M6
PFC开关管采用意法STL24N60M6，NMOS，耐压600V，导阻209mΩ，采用PowerFLAT 8x8 HV封装。
PY平伟PBMUR5JE
PFC整流管来自平伟，型号PBMUR5JE，是一颗超快恢复二极管，5A 600V，具有低正向压降，高浪涌电流能力，采用PS-277B封装。
Vergiga威兆半导体VSP003N10HS-G
两颗同步整流管来自威兆半导体，型号VSP003N10HS-G，NMOS，耐压100V，导阻为3.8mΩ，采用PDFN5*6封装。
Vergiga威兆半导体VS3698AE
输出VBUS开关管来自威兆半导体，型号VS3698AE，NMOS，耐压30V，导阻3mΩ，PDFN3333封装。
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充电头网总结
通过对三款机械革命笔电适配器的拆解分析，我们从功率器件布局上看，机械革命在PFC、LLC半桥、同步整流和VBUS控制等关键环节中，分别选用来自CETC、Innoscience、Msemitek、威兆、东芝、MagnaChip等多家厂商的MOSFET和二极管方案，体现出在机械革命在器件选择上的权衡。
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