AOS近日正式推出基于aMOS E2平台的 600V 超结 MOSFET AOTL037V60DE2。

这款产品面向高效率、高功率密度电源设计需求打造，除具备出色的FOM表现外，还重点强化了体二极管鲁棒性、短路耐受能力以及雪崩可靠性，可适用于Boost PFC、图腾柱PFC、LLC、PSFB等主流拓扑，适用于3.3-5.5kW AI服务器电源等高功率应用场景。

AOTL037V60DE2基于aMOS E2 Super Junction Technology打造，在栅极驱动响应方面进行了优化，有助于缩短开关过渡时间、降低开关损耗，更适合LLC、移相全桥等高效率软开关架构，对提升整机功率密度具有积极作用。

该器件具备12μs短路耐受时间，相比部分同规格产品可提供更长的保护窗口；在150°C结温条件下，其体二极管可承受80A、1500A/μs的反向恢复测试；同时还具备11A@30mH UIS能力，能够为系统在电压尖峰及异常冲击工况下提供更充足的安全余量。

此外，该器件还能承受2.7kA、200μs的浪涌电流冲击，对于图腾柱PFC等需要应对瞬态大电流应力的应用同样具有实际价值。

AOTL037V60DE2并非仅围绕低导通损耗进行优化，而是在效率提升的基础上，进一步补强了短路承受、高温换流以及雪崩耐量等系统级可靠性指标，可助力电源和逆变器设计人员轻松实现更高效率。