在AI算力狂飙突进、终端用电设备功率屡创新高的今天，“高功率密度”与“极致效率”已成为电源设计的核心需求。然而，在有限的板级空间内，如何有效控制温升、降低损耗，成为了摆在每一位电源工程师面前的难题。

面对这一行业痛点，瑶芯微电子凭借深厚的工艺积累与卓越的器件设计能力，正式重磅推出新一代（G5平台）100V SGT MOSFET系列产品。

该系列产品覆盖 1.9mΩ、2.1mΩ、4.6mΩ 等多个规格，采用紧凑的 PDFN5*6 封装。其中，AK2G10N019GAL凭借超低导通电阻与极佳的动态特性，成功打破了100V高端功率器件长期被国际巨头垄断的局面。

一、卓越性能，剑指BIC(Best In Class)

在高频、高功率密度应用领域，如何平衡导通损耗（Ron）与开关损耗（Qg/Coss）是考验功率器件技术底蕴的试金石。瑶芯100V SGT新一代G5技术平台，交出了一份惊艳的答卷。

以AK2G10N021GAM-H(100V, 2.1mΩ max) 为例，对其性能指标进行全方位实测验证：

1. 突破极限的超低导阻 (Rdson)：

AK2G10N021GAM-H典型导通电阻仅为 1.66mΩ，更低的 Ron 意味着在额定大电流工况下，能显著降低导通损耗，大幅提升整机效率，同时让器件工作温升更低，从容应对散热挑战。

2.极佳的输出电容 (Coss)，第三代半导体的完美搭档：

在维持超低导阻的同时，Coss 特性优异（典型值 2285pF）。这保证了系统在轻载下依然拥有出色的效率表现。尤为值得一提的是，该特性使其极度契合搭配 GaN / SiC 等宽禁带半导体进行高频开关工作。

3. 卓越的栅极电荷 (Qg) 表现：

Qg 表现优秀（典型值 85nC），具备更低的驱动损耗，带来更优的待机功耗表现。

核心总结： 瑶芯100V SGT G5系列在核心参数上实现了业界卓越水平，在PDFN5*6 封装下，将100V耐压的内阻下探至1.9mΩ，这在目前的国产功率器件生态中具有极强的稀缺性，标志着瑶芯在SGT工艺上实现了真正的代际领先。

二、  直击前沿应用，解决设计痛点

凭借强大的综合性能，瑶芯新一代 100V SGT 产品矩阵能够完美适配各类严苛的高功率应用场景： 

1.AI数据中心 BBU电源（Buck-Boost 拓扑）

AI 算力狂飙的背后，是对供电系统极致的可靠性与效率要求。在 BBU的Buck-Boost充放电电路中，我们的产品能有效抑制高频开关带来的开关损耗，并凭借极低热阻特性，在密集的服务器机柜环境中保障电力传输的稳定与高效

2.微型逆变器与户用储能

在新能源领域，100V SGT 完美适配微逆的 DC-DC 升压前级以及户储系统的双向变换器中，优异的 FOM 值（Ron * Qg）助力系统轻松突破 98% 甚至更高的转换效率

3.高功率密度 PD 快充电源（同步整流应用）

随着百瓦级、甚至两百瓦级移动设备快充的普及，副边同步整流管承受着巨大的电流应力。瑶芯 1.9mΩ / 2.1 mΩ SGT 能够将导通损耗降至最低，无需传统的两并联方案，节省PCB空间，轻松实现电源模块的小型化与超薄化设计

4.轻型电动车及高端电动工具电机驱动

面对两轮电动车、大功率无刷直流电机等应用中的大电流堵转和频繁启停工况，瑶芯PDFN5*6 封装不仅提供了极佳的散热基石，强大的电流雪崩耐量也为电机驱动提供了坚不可摧的可靠性

三、100V产品矩阵

目前瑶芯 100V 产品矩阵已围绕1-2mΩ、2-5mΩ、5-10mΩ、10-20mΩ及20-100mΩ多个导阻区间完成布局，并提供TOLL、DFN3X3、DFN5X6、TO-263、TO-220、TO-252、SOP-8、SOT-23等多种封装规格，整体覆盖范围较广。

其中，DFN5X6、TO-220、TO-252等封装下的型号分布相对更丰富，能够更好满足PD快充、电源模块、储能及低压电驱等不同场景对体积、散热和功率等级的差异化需求。

充电头网总结

从此次发布的100V SGT MOSFET系列来看，瑶芯正进一步补强其在高性能功率器件领域的产品布局。针对PD快充、AI数据中心、微型逆变器、户用储能以及低压电驱等应用对低损耗、高功率密度和热设计能力的要求，这一代产品在导通电阻、Qg、Coss及封装适配性等关键维度上都展现出较强竞争力。

其中，AK2G10N019GAL在PDFN5×6封装下实现100V耐压与低导通电阻组合，体现出瑶芯在SGT工艺平台上的持续进步，也为国产100V高性能MOSFET在高端应用市场的进一步拓展提供了更多可能。

对于正在推进高效率、小型化方案设计的电源厂商来说，瑶芯这代产品也带来了新的器件选择。