AI应用加速向本地部署，高性能CPU、GPU带来的持续功耗和瞬时负载不断增加，对PC电源的转换效率、散热能力和供电稳定性提出了更高要求。

因此，氮化镓也开始更多出现在高功率PC电源中，为提升能效和功率密度提供新的器件选择。

功率之心近期从专业拆解发现，航嘉重火力AX850P ATX3.1白金牌电源在前级PFC升压电路中采用英诺赛科ISG6122ATD SolidGaN合封芯片，以氮化镓器件承担PFC高速开关任务。

该电源额定功率850W，单路+12V输出达到70.8A、849.6W，面向高性能游戏主机及入门AI创作主机等应用。

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英诺赛科ISG6122ATD SolidGaN合封芯片

航嘉重火力AX850P采用ATX3.1规范，额定输出功率850W，支持100—240V交流输入，并提供高功率显卡供电接口，可满足高性能CPU、GPU等硬件的供电需求。

此次升级的一个重要变化，就是在PFC升压环节引入氮化镓功率器件，整机最高转换效率达到92%。

从拆解来看，电源前级PFC开关管采用英诺赛科ISG6122ATD。该器件属于SolidGaN系列，内部集成增强型氮化镓功率器件，连续额定耐压650V，导阻27mΩ，瞬态耐压达到800V，最高开关频率可达2MHz，并采用TO-247-4L封装。

ISG6122ATD还支持10—24V驱动电压，并集成栅极钳位及米勒钳位等功能，可降低高速开关过程中的误导通风险。

英诺赛科官方将ISG6122ATD所在系列定位于大功率AC-DC、DC-DC转换应用，覆盖服务器电源、数据中心等高功率、高可靠性场景。

在航嘉这款850W电源中，ISG6122ATD应用于PFC升压电路的高速开关环节。PFC作为交流输入后的重要功率转换级，需要在高压、高频条件下持续工作，其开关损耗和导通损耗会直接影响整机效率及发热表现。

氮化镓器件具备零反向恢复电荷、低开关损耗和高频工作能力，在高频开关场景下能够减少功率转换损耗。

对于850W级PC电源而言，降低PFC环节的损耗，不仅有助于提升整机转换效率，也能够减轻高负载运行时的散热压力。

此次航嘉在原有电源架构基础上，将PFC开关器件升级为英诺赛科ISG6122ATD，通过GaN器件降低PFC环节损耗和发热。

从拆解结果来看，这颗器件直接进入850W高性能PC电源的核心功率转换环节，也为氮化镓在AI PC及高性能主机电源中的应用增加了新的落地案例。