功率之心近期通过专业拆解了解到，SUPERMICRO超微2000W钛金牌服务器电源PWS-2K04A-1R在12V大电流输出控制链路中采用了德州仪器（TI）CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET。

这款MOSFET耐压30V，在10V栅极驱动下典型导通电阻仅0.56mΩ，主要面向ORing及热插拔等低阻大电流应用，为服务器电源高电流输出提供支持。

接下来简单介绍一下。

超微2000W服务器电源

超微PWS-2K04A-1R是一款1U冗余服务器电源，支持100-127V及200-240V交流输入，在230-240V输入条件下额定输出功率达到2000W，主路输出规格为12V/166.7A，并具备超过96%的标称转换效率。

电源内部采用交错PFC+移相全桥+同步整流架构，在完成AC-DC功率转换后，通过低压大电流输出链路向服务器系统供电。对于166.7A级输出，输出控制器件自身的导通损耗和散热表现尤为关键。

TI CSD17570Q5B进入大电流输出控制链路

这款服务器电源在输出端采用了多颗TI CSD17570Q5B作为输出控制MOSFET，并分布于PCB正反两面，连接12V输出滤波及末端输出部分。

CSD17570Q5B是一款30V N沟道NexFET功率MOSFET，采用5×6mm SON封装，在VGS=10V条件下典型导通电阻仅为0.56mΩ；在VGS=4.5V条件下典型导通电阻为0.74mΩ。器件还具备低热阻、雪崩额定等特性。

该器件适用于ORing及热插拔应用，其设计重点就是降低大电流通路中的导通电阻。

应用在服务器电源12V/166.7A输出控制链路中，超低导阻有助于降低MOSFET导通损耗及器件发热，为高功率密度服务器电源的大电流输出提供支持。

超微这款2000W服务器电源12V主路输出电流达到166.7A，对输出链路器件的低导阻和大电流承载能力提出了更高要求。

TI CSD17570Q5B凭借低至0.56mΩ的典型导通电阻进入其输出控制链路，有助于降低大电流传输过程中的导通损耗和发热，为服务器电源高功率、低损耗输出提供器件支持。