芯片案例近期通过拆解发现,云电科技3300W碳化硅服务器电源在全桥LLC功率级采用了纳芯微NSi6602AD双通道隔离栅极驱动器。

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该芯片具备4A拉电流、6A灌电流以及5.7kVrms隔离耐压能力,主要负责将控制信号隔离传输至高压功率侧,并驱动LLC开关MOSFET快速导通和关断。

纳芯微NSi6602AD用于全桥LLC隔离驱动

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云电科技这款服务器电源型号为AP-UH3300F54B2,来自云电科技,支持100-240V交流输入以及240V直流输入。在高压输入条件下,主路输出达到54V/61.1A,最大功率3300W,同时提供12V/3A待机输出。

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整机采用交错式PFC、全桥LLC以及同步整流架构,内部配备主动散热系统,并通过一体式连接器向服务器供电,可满足高功率服务器及数据中心的供电需求。

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拆解显示,PCBA模块侧边设有独立控制小板,小板外侧采用了纳芯微NSi6602AD隔离驱动器,用于全桥LLC开关管驱动,芯片采用SOW16封装。

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NSi6602AD是一款高可靠性双通道隔离栅极驱动器,输入侧支持2.7-5.5V供电,具备4A峰值拉电流和6A峰值灌电流,典型传播延迟约25ns,通道间最大延迟匹配为5ns,并支持可编程死区时间及欠压锁定功能。

此外,芯片采用高耐压隔离结构,SOW16封装具备5.7kVrms隔离耐压试验能力,典型共模瞬态抗扰度达到150kV/μs,能够适应高压、高频功率转换环境。

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在这款3300W服务器电源中,NSi6602AD主要承担全桥LLC功率开关的隔离驱动任务。

芯片将低压控制侧输出的PWM信号经过隔离传输后,利用较强的栅极充放电能力驱动MOSFET,使功率器件按照控制时序快速完成导通和关断。

对于全桥LLC而言,MOSFET的开关速度和时序直接影响谐振功率转换过程。NSi6602AD具备较低的传播延迟和良好的通道匹配能力,有助于提高驱动时序的一致性,减少开关过渡过程中的额外损耗,并配合LLC软开关特性降低器件发热。

同时,高共模瞬态抗扰能力能够减轻高压功率开关产生的快速电压变化对驱动信号的干扰,降低误触发风险,为3300W功率级稳定运行提供支持。

总结

此次拆解的3300W碳化硅服务器电源采用纳芯微NSi6602AD为全桥LLC功率级提供隔离栅极驱动。

这款芯片凭借4A拉电流、6A灌电流以及高共模瞬态抗扰能力,实现控制信号的可靠隔离传输,并驱动功率MOSFET快速导通和关断,配合LLC谐振软开关特性降低功率转换损耗。

对于3kW以上的高功率服务器电源而言,全桥LLC不仅需要高性能功率器件,还需要精准、稳定的驱动控制,才能兼顾转换效率与温升表现。纳芯微NSi6602AD通过高速驱动与电气隔离相结合,减少开关过程中的额外损耗和干扰,为高功率LLC稳定运行提供支持。