前言

近期,充电头网了解到,英飞凌面向消费级市场推出7款全新CoolGaN™ G5 700V增强型氮化镓器件,导阻覆盖140~500mΩ,为不同功率等级与效率目标提供更多选型。本次7款器件提供PG-TSON-8与DPAK两类封装,满足消费级高功率密度电源产品对高频、高效率功率器件的需求。

英飞凌CoolGaN™ G5 700V高压氮化镓

英飞凌CoolGaN™ G5 700V高压氮化镓采用增强型结构,常关断、无反向恢复电荷,具备极低栅电荷与输出电荷,支持超高速开关和反向导通,在高频条件下大幅降低开关损耗并提升系统效率;同时,其动态导阻和热漂移控制更优,ESD等级可达2kV HBM/1kV CDM,并结合ThinPAK/TSON、DPAK等底部散热封装以及8英寸晶圆+全自动量产工艺,实现更紧凑的功率密度、更可靠的一致性,为快充、电源模块、AI服务器、电信电源等700V级应用提供高效率、高可靠的GaN开关器件平台。

充电头网将本次英飞凌面向消费级市场推出的7款氮化镓器件部分参数汇总至上表,详细参数将在下文为您介绍。

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简单看过英飞凌氮化镓功率器件产品领样方式,充电头网继续为您介绍这7款器件的参数信息。

IGD70R140D2S

在产品特性层面,IGD70R140D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装、通过JEDEC认证(JESD47、JESD22);在应用领域层面,可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGLR70R140D2S

在产品特性层面,IGD70R140D2S为一颗700V增强型功率晶体管、超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装、通过JEDEC认证(JESD47、JESD22);在应用领域层面,可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGD70R200D2S

在产品特性上,IGD70R140D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证(JESD47、JESD22);在应用领域层面,可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGLR70R200D2S

在产品特性上,IGLR70R200D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、240mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证(JESD47、JESD22);在应用领域层面,可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGLR70R270D2S

在产品特性上,IGLR70R270D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、330mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证(JESD47、JESD22);在应用领域层面,可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGD70R270D2S

在产品特性上,IGD70R270D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、330mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证(JESD47、JESD22);在应用领域层面,可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGD70R500D2S

在产品特性上,IGD70R500D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、600mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证(JESD47、JESD22);在应用领域层面,可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

充电头网总结

英飞凌此次面向消费级市场推出的7款CoolGaN™ G5氮化镓,既兼顾高频、高效率,又兼顾量产一致性与散热设计灵活度。借助PG-TSON-8与DPA等封装这一系列器件能够覆盖从PD快充、适配器到电视电源、家电电源等多类应用场景,为工程师在电源设计中提供更丰富、更可靠的GaN选型。