充电头网从行业获悉，2026年3月4日，半导体巨头英飞凌正式发布全新CoolGaN™ Drive HB 600V G5系列，进一步扩充旗下GaN版图。
本次上新的四款新产品采用半桥配置（分别为IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M），其将双600V GaN开关、高低侧栅极驱动器及自举二极管等高度集成。 该方案主打高频高效，传播延迟仅98ns且失配极小。
该器件对一线研发更为友好，其兼容标准逻辑电平PWM输入，仅需单12V电源即可驱动。配合6×8 mm² TFLGA-27裸露焊盘封装，其散热性能表现优异，在诸多紧凑场景下甚至能实现无散热片设计。
对于诸多源头工厂和研发团队而言，GaN的超高频特性往往伴随着棘手的PCB布局与寄生参数挑战。英飞凌这套高集成方案，直接将最考验Layout功底的“开关+驱动”部分在单封装内解决，大幅精简了外部BOM数量。
该设计从根源上降低了工程师对走线干扰的焦虑，更一举攻克了空间受限时的散热难题。这让厂商能以更低的开发难度与更少的开发周期，将小体积、高效率的电源产品推向市场。
相关阅读
https://www.chongdiantou.com/
粤公网安备44030002009313号