前言
OPPO 120W全能充氮化镓充电器作为品牌在高效快充领域的又一力作,凭借1A1C双接口设计和氮化镓技术方案,实现了在有限体积内的高功率输出与广泛兼容性。
充电器不仅支持OPPO系SUPERVOOC快充协议,还兼容UFCS、PD、PPS等多种主流快充标准,能够满足手机、平板、笔记本等多种设备的充电需求。
本期充电头网将为大家带来这款充电器的详细拆解,深入解析其内部结构与技术亮点。
OPPO 120W全能充氮化镓充电器开箱
包装盒正面印有OPPO品牌、产品名称以及套装外观图。
背面印有产品名称以及卖点,此外还贴有充电器规格参数贴纸。
贴纸上参数特写,下面到产品实物展示环节再介绍。
包装内含充电器套装以及用户手册。
附带数据线为USB-C to USB-C类型,经典白色线设计,网尾设计12A规格字样。
测得数据线长度约为100cm。
OPPO 120W全能充氮化镓充电器采用经典直板造型加白色机身外壳设计,整体风格简约。
腰身采用激光雕刻精致工艺打造出仿皮革纹理,不仅提升的充电器辨识度,手感也更出色。
侧身还有仿皮缝线设计。
正面下方边缘区域印有SUPERVOOC。
输入端外壳上印有充电器参数信息。
产品参数特写
型号:OSABBCBBAC
输入:100-130V~50/60Hz 2.5A
单口输出:11V7.3A Max或UFCS:5-11V=3A
Type-C:5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3A
PPS:5-21V3A
USB-A:5V3A、9V3A、12V3A
双口输出:55W Max+33W Max或45W Max+18W
输入:200-240V~50/60Hz 2.5A
单口输出:11V11A Max或UFCS:5-11V=3A
Type-C:5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A
PPS:5-21V3.25A
USB-A:5V3A、9V3A、12V3A
双口输出:80W Max+45W Max或45W+18W
产品通过了CCC认证。
插脚靠一侧布局,方便用户插拔使用。
机身顶部配置1A1C接口,壳体内凹设计,并印有笔记本标识和120W GaN。
实测充电器机身长度为61.96mm。
宽度为55.26mm。
厚度为30.52mm。
和苹果140W充电器放在一起对比,体积优势非常明显。
充电器拿在手上的大小直观感受。
另外测得充电器重量约为140g。
测得USB-A口支持UFCS、QC3.0、SVOOC、DCP充电协议。
测得USB-C口支持UFCS、QC3.0、SVOOC、PD3.0、DCP充电协议。
PDO报文显示USB-C口还具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五组固定电压档位,以及5-5.9V5.1A、5-21V3.25A两组PPS电压档位。
OPPO 120W全能充氮化镓充电器拆解
将输入端外壳切割开,内部连接导线两端打胶保护。
将PCBA模块分离取出。
测得PCBA模块长度为57.76mm。
宽度为50.89mm。
厚度为24.65mm。
PCBA模块正面器件打胶加固以及辅助散热,同时变压器周边做了隔离绝缘处理。
模块底部则覆盖塑料隔离板以及散热片。
将模块清理一遍,主板正面设有保险丝、滤波电容、整流桥、变压器等器件,主控芯片供电电容布局在中心位置。
主板背面设有开关电源初次级控制器、初级开关管、同步整流管以及协议芯片等。
PCBA模块前端设有保险丝、NTC热敏电阻、差模电感以及高压滤波电解电容。
侧面还设有安规X2电容、共模电感以及整流桥。
延时保险丝来自贝特电子,出料号932,规格为3.15A 250V。
NTC热敏电阻用于抑制上电浪涌电流,两颗均外套热缩管绝缘保护。
安规X2电容来自STE松田电子,容量0.22μF。
安规X2电容焊脚采用塑料柱支撑,下方设有一颗共模电感用于滤除EMI干扰。
两颗整流桥来自PY平伟,型号GBP410,规格为4A 1000V,采用GBP封装。
另一颗整流桥特写。
高压滤波电解电容来自Acon新中元,规格为400V22μF。
另外两颗也是来自新中元,规格为400V39μF。
工字电感外套热缩管绝缘保护。
另一颗工字电感特写。
另一侧设有变压器,变压器外套塑料壳加固绝缘保护。
主控芯片供电电容来自艾华,规格为100V10μF。
初级主控芯片来自矽力杰,丝印AAGM,采用SSOP9封装,实际型号为SY5022B,这是一款专为高功率密度PD快充设计的高频准谐振反激控制器,支持直驱增强型 GaN FET,可在宽输出电压范围下实现最高240W的输出功率。
SY5022B采用峰值电流控制,通过准谐振谷底导通降低开关损耗,并凭借专有的谷底锁定技术将谷底数稳定在1至6之间,有效避免传统方案中谷底跳变引起的输出电压纹波和可闻噪声问题。
在负载变化时,芯片可依次工作在QR模式、DCM模式和突发模式下,在全负载范围内优化效率与待机功耗。搭配SY23434次级同步整流控制器使用时,还可实现零电压开关,进一步提升高频下的系统效率。芯片采用SSOP9封装。
初级开关管采用英诺赛科INN700DA190B,这是一颗耐压700V的增强型氮化镓单管,器件在原有650V耐压基础上升级至700V,瞬态耐压为800V。器件导阻为190mΩ,支持更高功率应用。
英诺赛科INN700D190B支持超高开关频率,无反向恢复电荷,具有极低的栅极电荷和输出电荷,符合JEDEC标准的工业应用要求,内置ESD保护,符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规,适用于AC-DC转换,DC-DC转换等高能效高密度应用。采用DFN5*6封装。
英诺赛科 INN700DA190B 资料信息。
充电头网通过拆解了解到,英诺赛科氮化镓芯片目前已被三星,OPPO,VIVO,联想,雅迪,LG,华硕,安克,努比亚,倍思,绿联,闪极等多家知名品牌和厂商所采用,出货量突破20亿颗。
变压器特写。
亿光EL 1019光耦特写,用于输出电压反馈。
贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司,具有体积小、重量轻等特色,非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TBY2101KB。
充电头网了解到,特锐祥贴片Y电容除了被倍思高通QC5认证100W氮化镓快充、麦多多100W氮化镓充电器、OPPO 65W超级闪充氮化镓充电器、联想90W闪充双口氮化镓充电器、努比亚65W氘锋氮化镓充电器等数十款大功率充电器使用外,也可应用于海陆通20W充电器、第一卫20W快充小冰粒充电器、贝尔金20W氮化镓充电器等品牌20W迷你快充上,性能获得客户一致认可。
另外两颗特锐祥贴片Y电容料号为TBY2331KB。
输出滤波固态电容打胶加固,两个接口母座均采用小板焊接。
将USB-C接口母座所在小板拆下,接口母座采用钢套点焊加固。
小板另一面一览。
USB-A接口母座外套塑料壳加固,小板正面设有升降压开关管、VBUS开关管、升降压电感以及滤波固态电容。
另一面设有同步升降压控制器、同步升降压开关管以及VBUS开关管。
同步整流控制器来自矽力杰,丝印t6,实际型号为SY5231A,这是一款高性能同步整流控制器,适用于工作在CCM/DCM/QR模式的反激变换器,可用于驱动次级侧标准或逻辑电平N沟道MOSFET。
SY5231A采用DSEN电压下降斜率检测技术以防止DCM/QR模式下寄生振铃导致SR MOSFET 误导通。同时,其DSEN高压消隐时间检测功能可增强系统ESD性能,避免外部噪声引发误动作。
在CCM模式下,芯片具备极短的关断延迟时间;在DCM/QR模式下,则通过DSEN电压调节充分利用SR MOSFET的导通时间以优化效率。轻载时,控制器自动进入节能模式,提升轻载效率。
同步整流管来自平伟,型号PW038N10ESL,NMOS,耐压100V,导阻3.2mΩ,采用DFN5*6封装。
两颗输出滤波固态电容来自PolyCap柏瑞凯,规格为25V820μF。
协议芯片采用英集芯IP2738U,这是一颗支持多个USB接口的协议芯片,支持双口18-140W快充应用,具备独立的反馈控制,具备独立的USB PD控制,相当于两颗IP2736整合到一颗芯片内部,快充规格与IP2736相同。支持USB PD3.1 28V EPR档位,支持UFCS融合快充,并支持PD3.0/PPS等丰富全面的快充协议,兼容性非常好。
英集芯IP2738U内置四路独立的NMOS驱动,可用于多个接口输出控制,控制多个VBUS开关管进行输出端口切换以及两路电源并联控制,并且支持双路独立的过流、过压以及短路保护,确保使用安全。
英集芯IP2738U资料信息。
输出VBUS开关管来自威兆,型号VS3698AE,NMOS管,耐压30V,导阻3mΩ,PDFN3333封装。
威兆半导体 VS3698AE 详细资料。
同步升降压控制器来自南芯科技,型号SC8701,这是一款同步4管升降压控制器,无论输入电压是高、低或等于输出电压,它都可以实现输出稳压。
SC8701拥有超宽范围输入输出电压,支持2.7-36V的应用范围,满足客户的不同需求。同时采用业界领先的10V驱动器电压,充分利用外置功率管以达到最高的转换效率。
SC8701采用电流模式控制升压,降压或者升降压,并可用外部电阻调节开关频率以及输入输出限流值,最大限度地在满足不同应用需求的同时简化设计。
SC8701支持包括输入限流,输出限流,动态输入功率调节,内部最高电流限流,输出过压保护,短路保护以及过温保护等一系列保护功能以确保系统能适应各种异常情况。采用32脚4x4QFN封装。
外挂同步升降压开关管采用威兆半导体VS4620GEMC,NMOS,耐压40V,导阻6.4mΩ,采用PDFN3333封装。
威兆半导体 VS4620GEMC 资料信息。
一颗威兆半导体VS4620GEMC同步升降压开关管布局在小板另一面。
搭配的升降压电感特写。
二次滤波固态电容规格为16V470μF。
输出VBUS开关管也是采用威兆半导体VS3698AE。
另一颗输出VBUS开关管也是采用威兆半导体VS3698AE。
第三颗VBUS开关管来自平伟,型号D40N03H,这是一颗耐压30V的NMOS,导阻4.3mΩ,采用DFN3*3封装。
全部拆解一览,来张全家福。
充电头网拆解总结
最后附上OPPO 120W全能充氮化镓充电器的核心器件清单,方便大家查阅。
OPPO 120W全能充氮化镓充电器在延续品牌简约设计语言的基础上,通过仿皮革纹理与缝线工艺进一步提升了整机的质感与辨识度。内部采用先进的氮化镓技术方案,在保证120W大功率输出的同时实现了紧凑的机身设计。
充电器配备1A1C双输出口,支持双设备同时快充,大幅提升了日常使用的便利性。同时还兼容UFCS、PD、PPS、QC3.0等多种主流快充协议,能够为手机、平板、笔记本等多种设备提供高效充电,适配范围更广、通用性更强。
充电头网通过拆解发现,充电器采用了矽力杰高性能电源方案,搭配英诺赛科INN700DA190B氮化镓功率芯片。此外还采用英集芯协议芯片,南芯同步升降压控制器以及威兆功率开关管等器件。
整机在散热处理、电磁屏蔽、安全保护等方面均体现出扎实的工艺水平,整体用料可靠、结构设计合理。








https://www.chongdiantou.com/





