前言

在充电头网举办的2026（春季）亚洲充电大会上，万国半导体（AOS）带来了《AOS全场景高性能电源管理解决方案》主题分享。

整场演讲围绕当下电源行业最受关注的两大方向展开，一条是持续升级的PD 3.0/PD 3.1快充应用，另一条则是快速升温的AI服务器与数据中心电源架构。

结合高压MOSFET、中低压MOSFET、SiC、GaN以及相关驱动与控制产品，AOS展示了其从消费类快充到高功率AI电源的完整器件布局思路。

从快充到AI，电源器件竞争正走向全场景覆盖

AOS 强调以更完整的产品矩阵参与不同电源系统设计，其产品覆盖高压Super Junction MOSFET、中低压MOSFET、Active Bridge控制器、SR驱动器以及SiC、GaN等宽禁带器件，可面向笔记本适配器、台式机/工作站、游戏主机、服务器、光储以及DCDC Brick模块等应用提供支持。

过去市场更关注单颗MOS管的导通电阻、封装和价格，而随着功率密度、效率、热设计和可靠性要求不断提高，厂商能否同时覆盖前级PFC、主功率级、同步整流以及后级供电部分，正在成为更重要的竞争点。

AI电源加速演进，器件布局进一步前移

在AI电源部分，AOS重点介绍了从传统服务器PSU到未来HVDC数据中心供电架构的器件布局。

其给出的方案中，既包括面向15kW以下服务器电源的图腾柱PFC、LLC、SSR、Oring等位置的器件配置，也包括面向HVDC Power Sidecar和HVDC IT Rack Solutions的整体架构思路。

在AI电源架构中，Vienna PFC、LLC一次侧、LLC二次侧以及48V侧多相Buck/开关电容等关键环节，都已经对应布局了不同电压等级的器件。

例如前级可覆盖1200V/750V SiC以及650V/700V GaN，后级则涵盖100V HotSwap FET、100V GaN FET、80V至15V的中低压MOSFET以及48V多相Buck控制器等。

这说明AI电源对器件厂商的要求，已经不只是提供某一颗主开关管，而是要理解整套服务器供电链路，并针对不同拓扑、不同电压平台准备相应产品。

尤其是在服务器电源持续向高功率、高密度升级的背景下，谁能提供更完整、更贴近系统应用的器件组合，谁就更容易进入主流平台设计。

PD 3.1高功率快充，开始更加重视集成与热设计

在PD快充部分，AOS将重点放在了PD 3.0/3.1应用中的功率器件配置上。随着PD 3.1更多应用到PC、工作站以及高性能终端中，Active Bridge加AHB正成为更主流的拓扑方案。

围绕这类方案，AOS从PFC侧到同步整流侧都提供了相应器件，并且在高压侧准备了多种贴片化高压MOSFET和GaN产品。

相比单纯扩充料号，更值得关注的是其在Buck-Boost级上的思路变化。传统Buck-Boost方案往往使用分立上下管完成设计，器件数量较多，占板面积和温升压力也更明显。

AOS则展示了将上下管集成到单一封装中的Co-package方案，希望以更少器件数量完成同样功能，在缩小PCB面积的同时改善热表现。

以PD 3.1 140W方案为例，AOS展示了AONZ66412双FET方案。在28Vin、9Vo、2.2uH、800kHz、9A的测试条件下，这套方案可将原本4颗FET的设计简化为2颗，同时温升表现改善约7%到8%。

从效率曲线来看，在高负载区其表现也优于单FET方案，说明双管集成不仅有助于简化布局，还能在效率与热设计之间取得更好的平衡。

对于当前高功率快充产品来说，这一点意义不小。因为当功率继续向140W甚至更高延伸时，整机设计难点已经不只是能不能做出来，而是要在有限体积内同时解决效率、发热、EMI和可靠性问题。Co-package这类方案，本质上正是在为高密度快充适配器争取更多设计余量。

新一代Super Junction平台，重点不只在低阻值

除了PD快充，AOS在演讲中还重点介绍了其新一代Super Junction平台。AOS较早将12英寸工艺引入Super Junction MOSFET，并在此基础上继续推出新一代αMOS E和αMOS E2系列。

其中，αMOS E更偏向消费类和家电类应用，αMOS E2则更多面向工业、服务器电源、光伏等对性能和可靠性要求更高的场景。

这代平台的一个关键变化，是不再只强调更低导通电阻，而是同时突出高功率密度和高可靠性。αMOS E2相比上一代产品在单位面积导通电阻指标上提升40%，FOM也提升18%。同时，在短路耐受、体二极管鲁棒性以及高温工况下的表现上也更为优异。

无论是AI服务器电源、数据中心电源，还是光伏、工业等高功率应用，器件面对的早已不是理想实验室环境，而是长时间高温、高压、大电流和复杂瞬态冲击。相比单纯把导通电阻继续压低，器件在短路、雪崩、反向恢复以及高温下是否依旧稳定，往往更影响整机平台能否真正量产落地。

从器件参数竞争，走向平台能力竞争

从PD快充到AI电源，功率半导体厂商的竞争方式正在发生变化。消费电子侧，市场需要更高集成度、更好热表现的器件方案，以支撑PD 3.1高功率化趋势；服务器和AI侧，市场则需要能同时覆盖PFC、LLC、同步整流、HotSwap、48V多相供电等多个环节的完整器件矩阵。

换句话说，未来比拼的不再只是单颗器件参数，而是厂商对系统架构的理解能力、平台化供货能力，以及能否针对不同应用场景给出真正可落地的组合方案。

充电头网总结

AOS此次分享的重点在于较为完整地展示了其从消费类PD快充到AI服务器电源的器件布局逻辑。一端是围绕PD 3.0/3.1高功率快充持续推进双FET集成和高密度设计，另一端则是围绕服务器、HVDC和AI电源持续补齐SiC、GaN以及中低压MOSFET产品拼图。

对于当下电源行业而言，这种布局也很有代表性。随着应用不断向更高功率、更高效率和更高可靠性演进，器件厂商的价值正从提供单颗元件转向支撑整套系统设计。谁能更早建立这种全场景、平台化能力，谁就更有机会在下一轮电源技术升级中占据更重要的位置。