在快充充电器等应用中，非对称半桥（AHB）拓扑凭借高效率、低EMI等优势，正受到越来越多工程师的青睐。
AHB 本质上是在传统反激思路上进一步优化而来的电源架构，通常通过两颗主开关器件与串联电容配合工作，不仅能够更好地利用变压器漏感能量，还更容易实现主开关零电压开通（ZVS）等效果，从而降低开关损耗与发热，帮助电源在效率、功率密度和小型化之间取得更好的平衡。
东科半导体此前已围绕相关产品技术展开详细阐述，重点说明了其在效率表现、系统集成和方案落地等方面的技术优势。
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这也是 AHB 近年来在高功率密度适配器、快充电源等场景中持续受到关注的重要原因。
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特别是随着强制性国家标准 GB 20943-2025《交流-直流和交流-交流电源能效限定值及能效等级》 于 2025 年 1 月 24 日发布，并将于 2027 年 2 月 1 日实施。
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电源产品在转换效率、待机功耗和功率因素等方面的要求进一步明确，且适用范围也扩展到额定输出功率不大于 500W 的外部电源以及不大于 27.5kW 的微型计算机和服务器用嵌入式电源。
因此，能够帮助整机提升效率、降低热损耗、支持高功率密度设计的 AHB 方案，有望继续获得更多厂商关注；尤其是与 GaN、高集成控制器结合后，其工程价值还会进一步提升。
而在这其中，内置氮化镓已成为当前 AHB 控制器芯片中一个值得关注的方向。
充电头网了解到，目前东科有着多款内置氮化镓方案的 AHB 控制器，将 GaN 功率器件与控制器进一步整合，有助于简化外围设计、缩短关键回路、优化 PCB 空间利用率，同时也更契合消费类快充、电源适配器等市场对于轻薄化和高功率密度的长期需求。
尤其是在中小功率 AC-DC 应用中，集成度提升所带来的工程价值已经越来越直观，这也是内置氮化镓产品数量持续增加的重要原因之一。
接下来充电头网也简单介绍一下这些芯片：
DK8718BD
合封115mΩ氮化镓功率管，支持180W高功率密度方案，BD版本在初代AD基础上优化了EMI与瞬态响应。
DK8715BD
合封200mΩ氮化镓功率管，覆盖150W输出功率，已应用于联想thinkplus 150W桌面充电站。
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DK8712BD
合封270mΩ氮化镓功率管，推荐用于120W电源设计，兼容初代AD版本，是升级迭代的主推型号。
DK8710BD
合封365mΩ氮化镓功率管，适合100W级快充适配器应用。
DK8718AD
初代全合封芯片，内部集成两颗115mΩ氮化镓功率管，支持180W且需搭配PFC使用。
DK8715AD
初代全合封芯片，内部集成两颗200mΩ氮化镓功率管，支持150W且需搭配PFC使用。
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同时冲充电头网了解到，该芯片已被努比亚氘锋140W 3C1A氮化镓充电器采用。
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以及被闪极点阵屏140W氮化镓充电器所采用。
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DK3718AD
与3715AD同属全集成系列，合封两颗700V氮化镓功率管，支持180W，已进入安克200W桌面充电器供应链。
DK3715AD
业内首个全集成all-in-one氮化镓AHB芯片，合封两颗700V氮化镓功率管与600V半桥驱动，支持150W，保护功能齐全。
充电头网了解到，这款芯片已被安克150W四口氮化镓快充充电器所采用。
DK8518
合封101mΩ氮化镓，支持180W输出，是该系列功率等级最高的型号，适用于高功率快充场景。
DK8515
合封160mΩ氮化镓，支持150W输出，全集成合封方案显著降低高频寄生参数与振铃。
DK8512
合封249mΩ氮化镓，与8510同系列，支持120W输出，工作电压范围-0.3~27V，外围元件极简。
DK8510
合封330mΩ氮化镓，内置800kHz高频开关与X电容放电功能，适配90~264V宽电压输入，支持100W输出。
充电头网总结
东科通过导通电阻分级清晰覆盖了100W至180W的主流功率段，并形成了“初代AD→优化BD”的迭代关系，以及“DK87xxBD主推系列、DK851x合封系列、DK371xAD全集成系列”的三条产品线。
其中DK851x系列更进一步集成了X电容放电功能与800kHz高频开关能力，而DK371xAD系列则作为业内首款全集成AHB芯片，成功进入安克、联想、华硕等品牌快充与桌面充供应链，证明了内置氮化镓AHB方案在大规模量产中的可靠性与竞争力。
目前，东科已成功构建起覆盖广泛、梯队完善的产品矩阵，拥有超过30个产品系列、100余个型号产品，产品类型包括AHB、QR、ACF、LLC等多技术产品路线，功率覆盖从12W到300W。
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合封GaN将GaN功率器件、控制及驱动电路、智能保护功能高效集成于单一芯片，彻底改变了传统多器件分立的复杂设计，大幅减少外围元件60%以上，显著提升了电源的功率密度和转换效率，降低了系统成本和设计复杂度，为终端客户带来了更小体积、更高效率、更简设计的卓越体验。
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