当前AC/DC 电源芯片的集成度与外围简化能力变得越来越重要。
 
充电头网获悉,英集芯推出的 IP2075_36D,正是一款面向高性能反激电源应用打造的集成式控制器。
 
该芯片将 700V GaN FET、高压启动、X 电容放电、多模式控制以及多重保护功能集成于一体,可用于手机、笔记本电脑适配器、高功率密度快充电源以及高能效反激辅助电源等场景。
 

英集芯 IP2075_36D

 

英集芯 IP2075_36D 是一款集成 GaN FET 的高性能离线式 AC/DC 二次侧反馈反激控制器,具备宽输出电压/电流适应能力,适用于对功率密度、转换效率和待机功耗要求较高的电源产品。

该芯片内部集成 700V GaN FET,并内置高压启动、X 电容放电、抖频降 EMI、多模式控制以及完善的保护功能,可有效减少外围器件数量,降低电源方案设计复杂度。
 
IP2075_36D 支持 QR、PFM、CCM 等多种工作模式,可根据不同负载状态优化工作效率,在提升重载转换效率的同时,也能兼顾轻载和待机功耗表现。

 

IP2075_36D 在空载输出时可实现零待机功耗,工作电流低至 310μA,有助于终端产品满足 CoC V5、DOE VI 等能效标准。
 
该芯片采用DFN18L(6*8)封装,凭借高集成度、高效率和低功耗等特点,该芯片可广泛应用于手机、笔记本电脑适配器、高功率密度快充电源以及高能效反激辅助电源等场景。
 
英集芯此前还推出了基于 Boost PFC+QR 反激架构的 100W 笔记本电脑适配器解决方案,该方案采用 IP2015、IP2075_36D、IP2028、IP2723TH 四芯片套片,其中 IP2075_36D 作为内置 700V 增强型 GaN HEMT 的多模态反激式转换器,在搭配升压 PFC 应用时,可满足高达 140W 输出功率应用需求。
 
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充电头网总结

英集芯 IP2075_36D 将 700V GaN FET、反激控制、高压启动、X 电容放电、EMI 优化和多重保护功能集中到一颗芯片中,核心优势非常明确:外围更少、效率更高、待机功耗更低,且更适合高功率密度电源设计。
 
对于手机、笔记本电脑适配器以及高能效辅助电源来说,这类高集成 GaN 反激控制器能够降低工程开发门槛,也为小体积快充电源方案提供了更直接的芯片选择。