达尔80V低阻MOSFET进入国产3000W服务器电源！

功率之心近期通过专业拆解发现，长城一款3000W铂金牌服务器电源在54V主输出控制部分采用了Diodes Incorporated达尔半导体DMTH8003SPS功率MOSFET。

该器件具备80V耐压、最大3.9mΩ导通电阻以及175℃最高额定结温，主要负责主输出功率路径控制，在降低导通损耗的同时，为服务器电源稳定供电提供支持。

达尔DMTH8003SPS用于主输出控制

长城这款服务器电源型号为GW-CRPS3000L5R，来自长城，支持100-240V交流输入以及240V高压直流输入。

在210-240V交流或240V直流输入条件下，主路输出达到54V/55A，最大输出功率3000W，同时提供12V/2A待机输出。

整机采用无桥PFC、全桥LLC以及同步整流架构，符合铂金转换效率等级，并支持热插拔和PMBus电源管理。

电源采用紧凑型金属外壳，配备主动散热风扇及金手指输出连接器，可满足数据中心及高功率服务器的供电需求。

拆解显示，PCBA模块的54V主输出控制区域采用了达尔半导体DMTH8003SPS，该区域同时设有输出电流检测及电源路径控制电路，主要用于主路输出管理。

DMTH8003SPS是一款80V N沟道功率MOSFET，采用PowerDI5060-8封装，在VGS=10V条件下，最大导通电阻为3.9mΩ，额定连续漏极电流达到120A（TC=25℃），最高额定结温为175℃。

在这款3000W服务器电源中，DMTH8003SPS主要承担54V主输出功率路径的通断控制。对于最高55A的主路电流而言，串联在输出路径上的阻抗会产生额外压降和功率损耗，因此较低的MOSFET导通电阻有助于减少大电流传输时的发热，提高输出路径效率。

同时，80V耐压为54V输出提供了一定的电压裕量，而175℃最高额定结温及具备良好散热性能的PowerDI5060-8封装，也为高功率电源的热设计提供了更多空间。

对于支持热插拔及冗余供电的服务器电源，输出侧MOSFET还需要兼顾供电路径的可靠控制。低阻MOSFET配合相应的电源路径管理电路，可以在保持较低正常导通损耗的同时，为输出隔离及反向电流保护提供硬件基础。

此次拆解的3000W铂金牌服务器电源采用达尔半导体DMTH8003SPS负责54V主输出控制，凭借80V耐压、3.9mΩ最大导阻以及175℃最高额定结温，满足高功率电源对低损耗输出控制和器件热性能的要求。

对于需要长期稳定运行的服务器电源而言，除了主功率转换环节，输出侧的通断控制和冗余供电设计同样关系到整机可靠性。达尔DMTH8003SPS在这款3000W服务器电源中的应用，展示了低阻功率MOSFET在大功率输出路径管理中的实际价值。