前言
从热天堂初代Game Boy 的问世到Nintendo DS 的双屏时代，再到如今的Switch2系列，任天堂掌机产品的每一次迭代，几乎都代表着便携式娱乐设备的技术进化方向。尤其自Switch初代于2017年发布以来，凭借底座与掌机双模式设计，成为全球范围内现象级的电子产品。
随着Switch底座模式的引入，其对在电源适配器稳定性的需求到达新高度。为此本文将以多代任天堂Switch及其原装充电器为例，拆解其内部电源架构，重点解析其中采用的高压MOS、同步整流管、VBUS开关及整流二极管等核心功率器件。通过对比不同版本产品所选用的半导体品牌与型号，我们将一窥任天堂工程师在快充设计中所青睐的功率器件选型思路。
任天堂Switch内置功率器件
文中出现的功率器件如上表所示，下文为您详细介绍。
任天堂Switch充电器
任天堂switch游戏机跟机原装PD电源适配器采用黑色磨砂表面，配置固定USB-C接口线缆，输入规格为100-240V，50/60HZ ，输出为5.0V-1.5A或15V-2.6A，最大输出功率可达39W。
内置功率器件
ST意法STF11N65M2
高压功率器件来自ST意法，型号为STF11N65M2，耐压650V，导阻0.6Ω，采用TO220封装。
TOSHIBA东芝TK42A12N1
次级同步整流管采用东芝的TK42A12N1，耐压120V，导阻7.8mΩ，采用TO220封装。
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任天堂Switch国行版
国行版任天堂Switch原装快充充电器在外观方面与此前的拆解的版本没有太大区别，仅型号发生改变，仍然支持USB PD快充协议，最大输出功率为39W，自带线缆设计，给设备充电非常方便。
内置功率器件
APEC富鼎先进AP6679GM
输出VBUS开关管为APEC AP6679GM，PMOS，导阻9mΩ，耐压-30V，采用SO8封装。
LITEON光宝G40E100CTW
光宝G40E100CTW是一颗40A 100V肖特基二极管。
TOSHIBA东芝TK10A60DR
来自东芝的初级开关MOS管，型号TK10A60DR，耐压600V，导阻0.8Ω，外侧的两个管脚套有磁环，抑制干扰。
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任天堂Switch 2原装60W PD快充充电器（港版）
任天堂Switch 2这款60W充电器在样式设计上，开始摒弃传统的电源外观，外观更加时尚了些，线体分离设计也更加便携便用。配备USB-C接口，支持PD3.0快充协议，最大可提供60W快充输出，已经能让其不再局限于为Switch 2供电，日常使用中，用户也可以拿来为手机、平板甚至是轻薄笔记本充电。
内置功率器件
AOS万国半导体AOY66920
同步整流管来自AOS万国半导体，型号AOY66920，耐压100V，导阻8.2mΩ，采用TO251B封装。
APEC富鼎先进AP3NA4R2YT
输出VBUS开关管来自富鼎先进，型号为AP3NA4R2YT，是一颗耐压30V的NMOS管，导阻4.2mΩ，采用PMPAK3*3封装。
Infineon英飞凌IPL60R185P7
初级开关管来自英飞凌，型号IPL60R185P7，属CoolMOS P7系列，耐压650V，导阻185mΩ，采用PG-VSON-4封装。
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1、拆解报告：任天堂Switch 2原装60W PD快充充电器（港版）
任天堂Switch 2原装60W PD快充充电器（日版）
任天堂Switch 2日版配备的60W充电器在样式设计上与港版的一样，不过插脚以及机身上的品牌、铭牌布局则有所不同。实测这款充电器同样支持PD3.0快充协议，可提供最大60W输出，除给Switch 2供电外，日常使用中，还可以拿来给手机、平板甚至是轻薄笔记本充电。
内置功率器件
AOS万国半导体AOY66920
同步整流管来自AOS万国半导体，型号AOY66920，耐压100V，导阻8.2mΩ，采用TO251B封装。
APEC富鼎先进AP3NA4R2YT
输出VBUS开关管来自富鼎先进，型号为AP3NA4R2YT，是一颗耐压30V的NMOS管，导阻4.2mΩ，采用PMPAK3*3封装。
Infineon英飞凌IPL60R185P7
初级开关管来自英飞凌，型号IPL60R185P7，属CoolMOS P7系列，耐压650V，导阻185mΩ，采用PG-VSON-4封装。
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充电头网总结
通过对多代任天堂Switch充电器的拆解与对比，可以发现其功率器件设计思路有明显变化。早期产品以传统TO-220封装为主，但在体积上占用空间较大。但随着供电功率从39W提升至60W，后续版本逐步引入了更小型化的贴片封装，使器件在有限空间内实现更高的效率与更佳的散热性能。
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