充电头网了解到，AOS万国近日宣布推出两款新型MOSFET产品，分别为25V的AONC40202和80V的AONC68816。

这两款器件专门针对AI服务器和数据中心内中间总线转换器DC-DC应用的高功率密度需求而设计。随着AI服务器对电源需求的不断攀升，AOS通过这两款新产品来满足该应用领域极其严格的散热和性能标准。

在封装与散热技术方面，新款MOSFET采用了先进的DFN3.3x3.3双面散热、源极向下的封装技术。该封装技术采用了顶部夹片设计，并针对外露漏极接触进行了优化。这种双面导热界面能够有效地将热量从散热器中排出，从而保持器件在更低的温度下运行。

与传统的单面散热器件相比，双面散热是减少热量产生和热应力的最优解决方案。得益于上述封装设计，该器件的最高顶部热阻数值可低至0.9°C/W。

这种源极向下的封装技术不仅为PCB提供了更大的源极接触面积，其中心栅极引脚布局也使PCB布线更加容易，从而可以将栅极驱动器的连接路径最小化。

AOS将最新的AlphaSGT硅技术与这种增强型散热封装相结合，为AI电源工程师提供了一种能够有效提高功率密度、可制造性以及整体应用可靠性的成熟方案。目前，AONC40202和AONC68816均已开始提供量产数量，交货周期为14至16周。