近日，英诺赛科推出INNDAD4K2A1 4.2kW PSU演示板，基于图腾柱PFC+LLC拓扑打造全GaN服务器电源参考设计，在效率、功率密度与工程化落地层面交出了一份颇具看点的答卷。

  

该方案面向AI数据中心、通信电源及大功率LED供电等高密度应用场景，为高功率电源的小型化、高效化升级提供了新的实现路径。

方案采用前端无桥两相交错图腾柱PFC，搭配后端全桥LLC谐振变换器拓扑，在230Vac输入条件下，峰值效率可达97%（不含风扇损耗），输出规格为48V/87A，最大输出功率达到4200W。与此同时，PCBA尺寸仅185mm×69mm×37mm，功率密度高达130W/in³，在高功率服务器电源方案中表现亮眼。

该方案借助全GaN器件进一步压缩体积并提升转换效率。相较传统硅基MOSFET，GaN器件具备更低栅极电荷、更优输出电容特性以及无反向恢复电荷等优势，更适合图腾柱PFC和LLC这类高频高效拓扑，有助于降低开关损耗、驱动损耗与整机热耗。

具体器件配置上，采用INN650TA030CS、INN650TA050AH和INN150EQ032A三款GaN器件，分别用于PFC慢桥臂、PFC快桥臂以及LLC同步整流等关键环节，针对不同功率级进行优化。此外，方案还具备输入过流保护、输出短路保护和输出过压保护功能，兼顾性能与可靠性。