国际一线3000W服务器同步整流采用万国0.78mΩ MOSFET！

在高功率服务器电源中，次级同步整流是影响整机转换效率的重要环节。尤其是12V低压大电流输出平台，当输出电流达到数百 A 后，MOSFET的导通电阻、载流能力及散热表现，都会直接影响整流损耗和整机效率。

功率之心近期通过拆解发现，一款3000W氮化镓服务器电源在LLC次级同步整流部分采用了24颗AOS万国半导体AON6590功率MOSFET。

该器件具备40V耐压、0.78mΩ典型导通电阻，主要负责主变压器次级同步整流，将高频交流转换为12.3V直流，为244A主路大电流输出提供支持。

万国AON6590用于次级同步整流

这款服务器电源型号为TET3000-12-069RA，由百富电子推出，支持100-277V交流输入以及240-380V直流输入，主路输出规格为12.3V/244A，额定功率3000W，同时提供12V/3A待机输出。

整机采用图腾柱PFC、LLC谐振转换以及同步整流架构，符合80 PLUS钛金转换效率标准，并支持热插拔、I²C通信及PMBus电源管理协议，可满足高功率服务器及数据中心供电需求。

拆解显示，PCBA模块背面右侧设有同步整流电路，两组LLC变压器背面共布置24颗万国半导体AON6590功率MOSFET，配合栅极驱动电路共同完成次级同步整流。

AON6590是一款40V N沟道功率MOSFET，采用DFN5×6封装，在VGS=10V条件下，典型导通电阻仅0.78mΩ，最大值为0.99mΩ。器件具备低导阻、低栅极电荷等特点，适用于同步整流及隔离式DC-DC功率转换。

在这款3000W服务器电源中，AON6590主要承担LLC变压器次级的高频同步整流任务。通过驱动电路控制MOSFET按照相应时序导通和关断，以较低的导通压降完成整流，将变压器次级的高频交流转换为低压直流输出。

对于最高244A的主路输出而言，同步整流器件的导通损耗尤为关键。相比传统二极管整流，采用低导阻MOSFET能够降低整流路径上的压降和功率损耗。

AON6590将典型导通电阻控制在1mΩ以下，有助于减少大电流工作时产生的损耗和发热。

这款电源共使用24颗AON6590构成同步整流功率级。这些MOSFET分布在不同的整流支路中，通过多颗器件协同工作分担大电流及热负荷，有利于降低单颗器件的工作压力，提高次级功率转换效率。

此外，AON6590采用DFN5×6贴片封装，便于在有限PCB空间内集中布置多颗功率器件，并配合PCB铜箔及散热结构完成大电流传输和热量释放，适合高功率密度服务器电源的设计需求。

此次拆解的3000W氮化镓服务器电源采用24颗万国半导体AON6590构成次级同步整流功率级，利用0.78mΩ典型低导阻及多管协同工作的设计，降低大电流整流过程中的导通损耗和发热，为12.3V/244A主路输出提供支持。

从实际应用来看，在服务器电源输出电流达到数百安培后，单纯依靠低导阻器件还不够，MOSFET的数量配置、布局方式和散热设计同样重要。

万国AON6590凭借超低导阻和紧凑封装，在有限空间内实现多颗器件集中应用，兼顾大电流输出与功率密度需求。